反激式变压器的设计说明

步骤1：创建电子束

在“电子枪”中创建电子束。线丝在真空中和高电压下强烈加热。被热量和电压释放的电子沿着管子加速并被吸引到屏幕上，在屏幕上突然停止并导致磷光体发光。

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SO，我们需要一个高电压。

步骤2：扫描电子束

我们如何扫描电子束？

嗯，电子束是电流，电流通过磁场会承受与磁场和电流方向成直角的力。

因此，如果我们创建与磁场成直角的磁场，则会使光束弯曲并进行扫描。

》如果电流流过线圈，则会产生一个磁场，如果电流线性增加，则该场随之而来；如果该电场跟随，则电子束中的弯曲也将线性地跟随。

。..。我们需要线性逐渐增加电流

Oh，并且在扫描结束时，如果走线很快飞回非常好，那么快就看不到它发生了。 那是“反激式”

维基百科：光栅扫描

步骤3：如何？为主计算机充电

好吧，我们可以使用两个完全独立的电路来完成我们需要的两件事，但是回到电视的曙光，一位名副其实的英才工程师叫艾伦（Alan） D. Blumlein在EMI的电子电视中工作时发明了一种可以完成这项工作的电路。它是反激电路。

这里是拓扑：

反激TRANSFORMER有点用词不当。在经典的变压器中，初级电流的变化会引起次级电流的变化。在反激式中，它们具体不《《》为什么不？

看次级中的二极管？电流只能在次级线圈中流动。。..当初级线圈中无电流时。..。. EH？

所以，让我们启动电路，并接通初级线圈下的晶体管-这里是开关S ，会发生什么？

电流将开始在原边（Is）中流动。由于次级线圈有一个串联的二极管，因此次级线圈中没有电流流过，而电流线性地倾斜。。..放置线圈使电子束与线圈串联偏转。初级，并且优美的线性加速电流（请参阅第7步）将使我们的光束从左向右平滑扫描。得分+1-我们具有线性加速电流。哦，磁场中的存储能量= 1/2 x L x I ^ 2请记住该位。

步骤4：不为主数据库充电。..

现在关闭电流。发生什么了？

哪里去了能源！

第5步：魔术！

现在，核心的磁场中存储着能量。它必须进入某个位置，并且不能进入初级，因为我们通过打开S来将其关闭。

一个很棒的技巧是，崩溃的场现在将在次级中感应出电压-通过匝数比-通常很高，并且由于以下事实的辅助：因为我们是从磁场中获取能量，所以能量会很快崩溃。..。..。

。..。.所以初级电流中的电流很快，电子束突然向左晃动。。..。

得分+2

步骤6：ZAPPED！

迅速塌陷的磁场在次级线圈的高匝中感应出电流。..。.次级线圈上的高压泵C用于驱动电子枪和电子管……

第7步：陷阱。饱和。

在Instructables上有许多反激电路，或者被问到的问题是“为什么我的开关晶体管会熔化”？您需要知道反激式变压器在线路频率下工作-光束扫描速度有多快？

通常，在1024 x 768显示器中，扫描速度约为〜64kHz。

所以，为什么不慢一些？

SATURATION就像电路一样，我们说电压产生电流：I = V/R，有磁路，我们说B = uxH。 B称为磁通密度（FLUX DENSITY），其单位是特斯拉（T）或更可能是mT或uT。H是场强，它与电流的关系为N（导线匝数）x I（电流）

不像电路，材料可以承受的最大H值仍然可以给您提供更多的B。这称为“饱和磁通密度”。电流的斜率由两个因素决定：驱动器电感由下式给出：L = A l xn 2

B支持该器件的电感。只要B可以增加，我的成长就会受到L.V = L di/dt的限制。 -或线圈上的ACROSS电压受L限制，线圈中电流的变化率

我们也可以说V = nd phi/dt-或线圈中FLUX的变化率与两端的电压，但通量phi与B相关，由phi = B x铁心面积决定。 B是KEY属性。

非常小心地将反激操作调整为曲线的非饱和部分。

如果磁芯饱和会发生什么？

您没有任何感应！

然后会发生什么？

什么限制了当前的？？？

没有限制电流，除了开关和线圈的直流电阻！

因此，对铁芯施加太长时间的电压，磁通会升高PAST饱和。..。..。然后告别您的开关晶体管。

第8步：陷阱。那个二极管！！

输出上的反向偏置二极管很重要。它可以使电路正常工作，并且必须连接好电路，以便在充电阶段不会将能量ISN泵入次级-忽略它，您将拥有一个普通的变压器。
        责任编辑：wv