144层3D NAND将引领闪存容量的重大革命

（文章来源：大数据在线）
       英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。

事实上,近年来闪存的快速发展,的确在数据中心很多领域取代了传统机械硬盘的位置,高性能机械硬盘已经开始退出历史舞台,以采用高性能硬盘的高端存储阵列为例,DELL EMC、华为等多个存储厂商的最新高端存储产品全部采用了闪存,彻底告别了机械硬盘,闪存容量技术的不断创新,一方面进一步提升了闪存容量和性价比,另一方面也加快了对传统机械硬盘市场的蚕食。

在本次大会上,英特尔还介绍了5级单元闪存(5位/秒单元)技术,相比于QLC,该技术可以让闪存容量进一步提升,并且成本进一步下降,无疑这将进一步推动闪存在数据中心领域的应用。不过,英特尔并未透露采用该技术相关产品的动态。

总体而言,在3D NAND 闪存领域,英特尔依然是业界最领先的公司之一,除了技术的长期布局之外,英特尔的产品组合优势也让其在市场中充满竞争力。