ddr和sdr的区别

目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS
内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总
结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。
现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核
心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为
SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其
时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操
作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR
内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

DDR 和SDR 的一些具体的区别：
􀁺 电压及接口电路不同，SDR 一般采用3.3V 的LVTTL 或SSTL_3 接口，而
DDR 则采用2.5V 的SSTL_2 低压数字接口，DDRII 用1.8V 的SSTL_18 接
口。
􀁺 DDR 芯片内部多加了一个DLL（Delay Locked Loops 延时锁相回路），并通
过数据闸门DQS（data strobe）来精确定位数据。
􀁺 DDR 能利用时钟的上升和下降沿进行数据的读写，其本质是利用DQS 信号
的上升和下降沿收发数据。
􀁺 DDR 比SDR 有更低的输入阻抗。
􀁺 DDR 有参考电压VREF，由信号电压和参考电压的差值来决定数字信号的状
态。
􀁺 DDR 的DM 只在写操作时有效，而SDR 中的DQM 信号在读操作和写操作时均有效。
􀁺 DDR 采用了差分形式的时钟信号传输，能更好的保证信号质量和时序。
􀁺 和主板的接口不同，如对DIMM 来说，SDR 为168 引脚，而DDR 则是184
引脚，SODIMM 和UDIMM 也均有不同。
􀁺 表2-1-1 给出了SDR，DDR 和Rambus 在性能上的一些区别：

正因为SDR 和DDR 在某些特性上的差异，我们在设计这两种内存模块时，
考虑的因素也不尽相同。下面的几节中，会针对这两种内存模块的设计细节做一
个会有较为详细的阐述。
尽管目前的市场还是SDRAM 和DDR 占据主流，但各大内存模块公司对
DDRII 研究已经开始展开，JEDEC 也成立了专门的Task Group 着手于新的规则
的制定。可以大胆的预计：明年（2003 年）市场上将出现DDRII 的身影，而到
2004 年，DDRII 将逐步开始成为内存市场的主导。对于DDRII 的基础知识和设
计理论可以参见相关的文档。