我国闪存核心技术获得成功，3D NAND进步实属不易

（文章来源：科技风景线）

有关国产闪存技术的发展与突破，相信很多人都在翘首期待，希望我们能够拥有自己的先进闪存产品，而当长江存储成功发展出来3D NAND存储Xtacking架构技术的时候，我们知道，真正的国产存储即将出现了！不负众望的是，就在近日，长江存储发布消息称，容量256Gb，64层堆栈的3D闪存已经成功量产，核心技术就是Xstacking技术！

关于Xtacking技术，相信很多人都不是很了解，其实，如果了解了一下现在芯片的结构，大致上就知道Xtacking技术的牛气之处了，而一般来说，现在的3D NAND是把内存颗粒堆叠到一起，来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

通俗的解释就是原本的地基是用来盖平房的，但是如果盖成了楼房，空间应用面积就大得多了，所以，在存储上，3D NAND的空间更大，而在3D NAND的发展中，自然也会存在一定的问题，比如存储单元外围电路和存储单元的兼容问题，毕竟数据交换接口I/O速度和存储密度的发展是两个技术产业，双方的结合很关键。

这就导致人们在闪存的设计制造方面，为了兼顾外围电路和存储单元的结合问题，或多或少的会舍弃其中一方的制造性能，即：不能够在外围电路和存储单元上都选择最先进的制造工艺。

因为这个问题的存在，现在人们为了追求存储密度的提升，所能够达到的3D NAND I/O速度的最高值为1.4Gbps，一般情况下，人们所能够使用到的已经商业化的闪存的I/O速度要比这个数值低很多，而Xtacking技术的厉害之处就是在于可以将NAND的I/O速度提升到3.0Gbps，同时却不影响存储密度。

Xtacking技术之所以能够实现这一高速度，关键点就是在于很好地解决了外围电路和存储单元的结合问题，通俗解释就是，在进行晶圆加工的时候，对外围电路和存储单元进行分别加工，这样，这两个部分都可以选择最为合适或者是最先进的制造工艺，当这两部分晶圆都完工而需要对接的时候，Xtacking技术则可以通过数十亿根垂直互联通道轻松将两块晶圆键合。

这样，无论是外围电路晶圆还是存储单元的晶圆都可以选择最为先进的制造工艺了，自然在I/O传输速度以及存储密度上有了更大提升了，所制造出来的闪存自然是性能更加先进的了！我们也有一心一意做研究的企业，在存储的发展上，长江存储给我们的半导体产业打了一剂强心针，这说明我们还是可以做出很好的国产存储产品的，好好发展半导体产业，好好发展存储产业，为我们的科研人员点赞！

（责任编辑：fqj）