GaAs FET 1.2ＧＨｚ前置放大器

GaAs FET 1.2ＧＨｚ前置放大器
使用於ＲＦ前置放大器的元件有很多种，但是就ＮＦ之观点而言，要数砷化镓ＧａＡｓ
ＦＥＴ最佳。
图４－１为使用ＧａＡｓ ＦＥＴ的２ＳＫ５７１（日电）的低杂音前置放大器的电路，
功率增益为１０ｄＢ左右，ＮＦ在１ｄＢ以下，其价格大约在日币数百元左右。由双面玻璃
纤维（Glass Epoxy）基板洗成条状线（Strip Line）而成，基板使用１.６㎜厚度者，基板的正
反面接上数个地方的焊锡锥。
条状线要图中所示之正确尺寸，零件要以铭铁直接焊在基板上，分别有电阻器、线圈、
微调电容器，最後再焊上ＦＥＴ，接收信号调整ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３，调整使ＮＦ值达
最佳值即可。由於电路相当简洁，所以最适於天线增波器之前置放大器，但是常因输入过大
而破坏，这是要特别注意的。配合使用於收发报机时，发送接收的切换时序（Timing）要在
确实发送之後再接到前置放大器。