正交二极体DBM电路

正交二极体ＤＢＭ
二极体混频级（Diode Mixer）由於变换损失比电晶体及ＩＣ混频级还大，所以也需要较大的注入电压，但是其频率特性优越，整个宽广的频带的动作也相当稳定，因此还是有其受人欢迎的原因，而电路的结构也很简单，只需要二极体及电感器就可以了。但是制作二极体ＤＢＭ的重点在於选用特性相同的４个二极体，若使用了特性不相同的二极体时，载波漏损就很大，如此便不能满足所要的特性。正交型二极体（QuadDiode）ＮＤ４８７Ｃ１－３Ｒ之内部有四个特性相同的萧特基壁障二极体（ Schottky BarrierDiode），其封装是微碟（MicroDisk）状的，内部的二极体之接法如图１３－１之ＤＢＭ电路，本地振荡注入电压在２ｄＢｍ以上时，损失则在６ｄＢ以下。图１３－１之例子中，Ｔ１，Ｔ２系在陶铁磁蕊（Ferrite Core）ＦＢ８０１－４３绕上４圈而组成ＤＢＭ电路，动
作范围的目标值在１～２００ＭＨｚ左右，使用於Ｖ／ＵＨＦ时，Ｔ１，Ｔ２就要使用ＴＶ
用眼镜形磁蕊（Glasses Core），而且变更成图１３－２之电路时就可以达到５００ＭＨｚ左右。为了增加本地振荡注入电平的余裕度，所以取＋７ｄＢｍ（５ｍＷ）左右，虽然比主动元件需要更大的本地振荡电平，但是提高截止点（ InterceptPoint）却可以使ＩＭＤ特性更佳。此外，ＤＢＭ的输入、输出埠阻抗必须是５０Ω，若无法取得匹配（Miss-matching），其反射波便是产生混附信号（Suprious）及绝缘（Isolation）降低的原因，因此，电路之例子中，则在输出侧加上－３ｄＢ的衰减器（Pad）电路。电感反馈式振荡电路 。

\

DBM电路