格力20亿入股三安光电，再次加大芯片投入！

格力11月11日晚发布公告，拟以自有资金20亿元认购三安光电非公开发行的股份，三安光电此次非公开发行A股股票，拟募集资金总额不超过70亿元，先导高芯拟认购其余50亿元，此次募集资金将投入半导体研发与产业化项目（一期）。

该项目总投资约138亿元。此次募投项目主要投向中高端产品，包括高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、车用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/红外LED、太阳能电池芯片等。

图片来源三安光电公告

根据进度安排，本次募集资金投资项目建设期为4年，达产期为7年，预计达产年销售收入82.44亿元(不含税)，达产年净利润19.92亿元。

格力在公告中表示，三安光电是LED芯片龙头，在化合物半导体领域具有先发优势。此次对三安光电的战略性股权投资，有助于公司中央空调、智能装备、精密模具、光伏及储能等板块打入半导体制造行业，格力期望和三安光电进行合作研发，借助后者在碳化硅（SiC）半导体领域的技术先发优势，提升空调芯片性能。

为什么入股三安光电？

SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC从上个世纪70年代开始研发，2001年SiCSBD商用，2010年SiCMOSFET商用，SiCIGBT还在研发当中。随着6英寸SiC单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得SiC器件制备能够在目前现有6英寸Si基功率器件生长线上进行，这将进一步降低SiC材料和器件成本，推进SiC器件和模块的普及。

相对于Si器件，SiC器件更具优势，体现在三个方面：降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。

降低能量损耗。SiC材料开关损耗极低，全SiC功率模块的开关损耗大大低于同等IGBT模块的开关损耗，而且开关频率越高，与IGBT模块之间的损耗差越大，这就意味着对于IGBT模块不擅长的高速开关工作，全SiC功率模块不仅可以大幅降低损耗还可以实现高速开关。

低阻值使得更易实现小型化。SiC材料具备更低的通态电阻，阻值相同的情况下可以缩小芯片的面积，SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。

更耐高温。SiC的禁带宽度3.23ev，相应的本征温度可高达800摄氏度，承受的温度相对Si更高；SiC材料拥有3.7W/cm/K的热导率，而硅材料的热导率仅有1.5W/cm/K，更高的热导率可以带来功率密度的显著提升，同时散热系统的设计更简单，或者直接采用自然冷却。

目前，全球SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中美国全球独大，全球SiC产量的70%~80%来自美国公司，典型公司是Cree、Ⅱ-Ⅵ；欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链，典型公司是英飞凌、意法半导体等；日本是设备和模块开发方面的领先者，典型公司是罗姆半导体、三菱电机、富士电机等。

国内企业在SiC方面也多有布局。SiC衬底方面，天科合达、山东天岳、同光晶体等均能供应3英寸~6英寸的单晶衬底。SiC外延片方面，厦门瀚天天成与东莞天域生产3英寸~6英寸SiC外延片。

SiC器件IDM方面，中电科55所是国内少数从4-6寸碳化硅外延生长、芯片设计与制造、模块封装领域实现全产业链的企业单位，其6英寸碳化硅中试线已投入运行，旗下的控股子公司扬州国扬电子为“宽禁带电力电子器件国家重点实验室”的重要实体单位，专业从事以碳化硅为代表的新型半导体功率模块的研制和批产，现有一条于2017年投产、产能50万只/年的模块工艺线。泰科天润已经量产SiCSBD，产品涵盖600V/5A～50A、1200V/5A～50A和1700V/10A系列。深圳基本半导体拥有独创的3DSiC技术，推出的1200VSiCMOSFET性能达到业界领先水平。

SiC器件Fabless方面，上海瞻芯电子于2018年5月成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成SiCMOSFET的制造流程。

代工方面，三安光电旗下的三安集成于2018年12月公布商业版本的6英寸碳SiC晶圆制造流程，并将其加入到代工组合当中。根据公司新闻稿，目前三安SiC工艺技术可以为650V、1200V和更高额定电压的肖特基势垒二极管（SBD）提供器件结构，公司预计在不久后会推出针对900V、1200V和更高额定电压的SiC MOSFETs产品。

整体而言，SiC产业链全球来看仍处于起步阶段，国内企业更是大部分处于早期研发阶段，远未成熟。三安光电旗下三安集成业务是国内稀缺宽禁带半导体制造企业，布局基本对标Cree，从LED芯片到LED应用，从SiC晶圆到GaN代工，三安光电的布局前瞻且具备可行性，有望在宽禁带领域延续其在LED产业的竞争力，这可能也是格力参与投入三安光电项目的原因。

格力还投资了哪些半导体项目？

2018年5月，董明珠高调宣称，未来几年要投重金搞芯片研发，不能让别人卡脖子，不能受制于人。格力要长期持续发展，必须掌握核心技术。董明珠所说的核心技术，就是芯片。

2018年8月，格力投资10亿元成立空调芯片设计公司。这家公司名为“珠海零边界集成电路有限公司”，注册资本为10亿元，格力100%控股，法定代表人董明珠。公司的主营业务就是芯片设计，其中以研究高端变频驱动芯片和主机芯片为主。

图片来源天眼查

2018年10月，格力30亿元战略投资闻泰科技收购Nexperia HoldingB.V.（安世集团）项目，投资后格力持有闻泰科技12.33%股份。

图片来源格力公告

安世集团是一家欧洲芯片企业，位于荷兰奈梅亨，为全球领先的半导体标准器件供应商，专注于分立器件、逻辑器件及MOSFET器件的设计、生产、销售。

安世集团脱胎于半导体行业巨头恩智浦半导体公司的标准产品分部。过去，恩智浦旗下共有7个从事标准产品业务的子公司，安世半导体便是恩智浦为置出资产和承接业务而新设的全资子公司，用于管控上述7家子公司。

此后，经过一系列并购及资本运作，安世集团成为安世半导体的实际控制主体。据了解，安世半导体拥有“半导体设计+晶圆制造+封装测试+集成电路设备+销售部门”的完整产业链。

西南证券研报显示，2018年安世半导体全球市占率14%，二极管全球第一，逻辑器件全球第二，汽车MOS管全球第二，小信号MOS管全球第三。2018年全年生产总量超过1000亿颗，稳居全球第一。

本文综合自中国基金报、中泰证券、中金公司等