三星欲每年投91亿美元建立EUV量产体制

据日本媒体报道，三星副会长李在镕表示，三星计划每年将投资1兆日元（约合91亿美元），计划建立“极紫外光刻”（EUV）为核心的量产体制，预计该计划将持续10年，力争在代工业务上赶超台积电。

目前，三星7nm EUV技术已经量产，在2019下半年将完成的韩国华城7nm EUV工艺生产线，将在2020年1月份量产，5nm制程也计划在2020年上半年量产，3nm制程预计在2021年进入量产，正在不断赶上台积电。

在晶圆代工上，三星立志于跟一哥台积电一争高下，不过目前后者在7nm、5nm工艺上进度领先，其中7nm已经量产一年了，今年都开始量产7nm EUV工艺了。

三星在7nm节点上直接使用EUV工艺，不过这也拖累了进度，虽然2018年就宣布量产了，但实际并没有大规模出货。

在最新的财报中，三星表示他们的7nm EUV工艺将在Q4季度量产，虽然三星没有公布具体的信息，不过三星自家的Exynos 9825及5G SoC处理器Exynos 990都是7nm EUV工艺的，量产的应该是这两款芯片。

除了三星自己之外，IBM、NVIDIA也是三星7nm工艺的客户，不过IBM的Power 10处理器没这么快，再有应该就是NVIDIA的7nm Ampere芯片了，之前信息显示会在2020年Q1季度发布。

在7nm之外，三星还有6nm工艺，不过它也是7nm的改进，变化不大，正在推进更先进的是5nm工艺，这次提到5nm EUV工艺已经完成了流片，并且获得了新的客户订单，但是三星同样没有公布具体信息，如果5nm芯片能做今年流片，那说明三星的5nm工艺进展不错，毕竟台积电也是今年9月才完成了5nm工艺流片。

5nm之后，还有个改进版的4nm工艺，三星提到他们正在建设4nm晶圆厂的基础设施。

真正能让三星在晶圆代工市场翻身的工艺是3nm，因为这个节点业界会放弃FinFET晶体管转向GAA晶体管，三星是第一个公布3nm GAA工艺的，台积电在这方面公布的信息比较少，不确定具体进度。

根据三星的说法，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

三星表示正在加速3nm研发，预计在2020年完成技术开发，后续会开始测试、量产等进程。

目前对“极紫外光刻”（EUV）的需求主要是晶圆代工市场，而台积电可谓占据了一半的市场份额，台积电7nm EUV已经量产，而且7nm产能第四季接单全满，2020年上半年同样供不应求。因此，台积电2019年资本支出从110亿美元上调至最高150亿美元，且2020年还将维持同等水准，还将增加EUV生产线以及增加雇佣员工。

据台积电供应链透露，台积电5nm已吸引包括苹果、超威、海思、高通等大厂，量产时间或将提前至2020年第一季。继7nm和5nm之后，台积电在***已经开始建设其3nm工艺晶圆工厂，计划在2023年实现3nm大规模量产。