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作为业界少数几家加入FinFET俱乐部的公司,中芯国际已经开始使用其14 nm FinFET制造技术批量生产芯片。该公司设法开发了依赖于此类晶体管的制造工艺。有点遗憾的是,中芯国际的FinFET生产线比其他代工厂的生产线要小得多。
中芯国际的前代制造技术为28纳米,因此14纳米工艺切实提高了晶体管密度,提高了性能,并降低了功耗,这自然使该公司能够生产更复杂,更昂贵的芯片,而这些芯片原本可以外包给更大的竞争对手。
目前,中芯国际在其300毫米晶圆厂之一中使用其14纳米工艺技术提高了产量,因此初始批量并不高。同时,中芯国际的计划包括建立一条新的300毫米14纳米生产线和更薄的工艺技术,每月产能为35,000个晶片。该工厂的建设已于今年年初完成,该公司目前正在安装生产设备。
除了FinFET的平台,中芯国际创新的纳米制作成工艺发展正在有条不紊地进行。此外,该公司正在开发更先进的工艺,包括那些将需要在未来十年使用的极紫外光刻(EUVL)设备的工艺。实际上,该公司甚至已经从ASML购买了EUV设备,但到目前为止尚未安装。
作为一家相对较小的生产商,中芯国际在技术开发方面正在逐步缩小自身与大型竞争对手之间的差距。同时,由于每个新流程的研发成本都较高,因此公司需要增加产量以使开发在财务上可行。因此,中芯国际(及其他代工厂)及时购买先进的生产设备并增加其制造量对于长期成功至关重要。
中芯国际联合首席执行官赵海军和梁孟松博士在联合声明中说:
“在过去的两年中,我们不仅缩小了先进技术的差距,而且扩大了全面的成熟节点技术平台。我们相信,随着5G应用的浪潮,我们将进入一个新的发展阶段。
FinFET技术的发展继续向前发展:第一代FinFET已成功开始批量生产,并将在第四季度开始贡献收入。同时,第二代FinFET的发展稳定,客户参与度也很平稳。我们相信,中芯国际将受益于即将到来的5G产品迁移带来的广泛商机,我们将退出这一过渡期并重新进入增长。”
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