我国光刻机实现拐弯超车，终于攻克9nm技术难关

（文章来源：科技小狂人009）

随着时代的不断变化发展，众多以科技为背景的产业由此崛起，在改变了人们传统生活方式的同时，也对国家和社会的发展起到了积极的促进作用。当然，得益于我国在科技研发领域的巨额投入，如今中国科技也已经跻身到了世界一线前沿，其中表现最为明显的无非就是在智能手机领域。

纵观目前全球智能手机市场，国产手机阵营基本实现了全球覆盖，可即便如此，智能手机的核心组成部件-芯片却是我国最大的短板。由于芯片技术的短缺，使得我国科技企业长期以来需要依靠海外进口，这样一来不但没有议价权，同时还会面临着卡脖子的境遇，而中兴和华为事件的发生不就正好说明了问题所在。

实际上，从现阶段来看，包括华为在内的中国科技企业都已经突破了芯片设计的技术瓶颈，但是芯片制造环节依旧是最大的短板，其中，制造芯片的光刻机也成为了重中之重。不过有碍于光刻机巨头-荷兰ASML的政策限制，使得国内高科技技术企业无法购买ASML的高端光刻机，因此对于我国而言，掌握光刻机技术也变得迫在眉睫。

目前光刻机领域的平均水平在14nm工艺范畴，最先进的则是7nm工艺掌握在荷兰ASML手中，其他国家所涉及的光刻机技术还有9nm工艺，主要掌握在日本和德国手里。所以，在我国庞大的电子产业群之下，没有先进光刻机的支持，必然会约束到我国电子产业的转型与升级。所以在意识到光刻机的重要性之后，我国也开始大加大了对光刻机研发的投入。

目前，包括中芯国际和华虹集团都已经实现量产28nm和90nm工艺的水平，与9nm和7nm依旧有着很大的差距。不过在近日，中国芯片再传捷报，国产光刻机拐弯超车，攻克9nm技术难关！根据相关媒体的报道，由我国武汉光电国家研究中心的甘棕松团队，成功研发出9nm工艺光刻机。

此次研发成功的9nm光刻机技术与西方不同是，国产光刻机利用了二束激光在自研的光刻机上突破了光束衍射极限的限制，刻出了最小9nm线宽的线段，这是我们独有的技术，我们也将拥有自主产权。不过，现阶段9nm光刻机技术还仅限于试验阶段，但是作为国人的我们有理由相信，在不久的将来，国产光刻机必然会走出实验室，实现芯片量产。

同时，国产光刻机在技术上的突破在我国芯片发展史上也有着重要意义，毕竟这也代表着我国科技企业在未来可以减少对海外芯片的依赖，从而提高我国在电子产业中地位。让中国芯片走向更大的世界舞台。
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