中国科学家成功研发了一种新型垂直纳米环栅晶体管

（文章来源：简叔）

不得不说，从上个世纪中期一直到现在，芯片技术都是高科技领域的尖端技术，现在的一部智能手机都要用到几十款芯片，不仅如此，芯片的集成度越来越高，制造难度越来越大，即使强大如英特尔，这么多年来也一直徘徊在14nm工艺，迟迟没有大规模向10nm工艺转型。

如果回想十年前，那个时候芯片的制造工艺可以一下子从90nm升级到65nm，进而继续保持大幅度升级到45nm、22nm等工艺，但是近年来，芯片的制造工艺升级幅度越来越小，例如从22nm之后就开始进入16nm工艺，再之后就是14nm、12nm、11nm、10nm、8nm，现在最先进的是7nm，所以我们看到似乎每向前前进1nm都变得异常艰难。

而当前芯片的晶体管技术，还是使用的当年英特尔首发的22nm技术，也就是FinFET技术，但是该晶体管技术可以利用的最大限度，基本就停留在4nm工艺，3nm以及以下的工艺，就需要新的晶体管技术来加持，可以说目前世界上在芯片的先进工艺上，基本上是台积电、三星和英特尔在主导，但今日我国中科院重磅宣布了一个大消息。

来自中科院的消息称，中国科学家研发了一种新型垂直纳米环栅晶体管，它被视为2nm及以下工艺的主要技术候选，这一研究成果近日发表在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上，获得多项中、美发明专利授权。目前来看，我国在芯片研发上已经具备国际一线实力，例如华为的麒麟1020已经成功实现5nm工艺流片，不过在芯片制造上，目前我们还没有进入一线队列。

然而这次中科院科学家在芯片制造方面的重大突破，可以说为以后我们在芯片制造领域做好了技术支撑，而剩下的需要我们攻克的，也算是芯片领域的最后一段难关，就是芯片的制造设备，其中主要是光刻机，目前全球仅荷兰的ASML可以提供最为先进的支持极紫外光刻技术的光刻机，相信我们的科学家未来一定可以为我们带来惊喜，我们拭目以待。
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