Transphorm十年专注引领技术创新

Transphorm是首家发布出厂器件现场故障数据的高电压 GaN FET 供应商。该数据用于计算以百万分率(ppm)和故障率(FIT)表示的现场故障率，以显示这项技术的可靠性。现场数据的可用性是功率系统中高电压GaN重要的新指标，因为它表明技术的成熟性。  

对于高电压GaN来说，2018是颠覆行业格局的一年。Transphorm出货的超过25万件650V GaN FET将在客户的批量生产、高性能电源转换器和变频器产品中部署。这些产品通过各种渠道供应，甚至包括亚马逊。根据迄今为止的产量，能够保守地估计现场运行小时数超过13亿，现场FIT率控制在较低的个位数内，以及在大量的操作和加速可靠性测试运行条件下的故障前平均时间超过10亿小时。

Transphorm十年专注引领技术创新

Transphorm公司是一家全球化的半导体公司，为高压功率转换应用开发了完整认证的650 V GaN功率器件。十年来，Transphorm公司一直专注于将高压（HV）GaN FET（场效应晶体管）推向市场。致力于为电力电子市场（数据中心服务器、PV转换器、感应/伺服电机、工业及汽车等商业供电市场）设计、制造和销售业内顶级品质和可靠性的GaN技术产品。2013年，Transphorm公司推出了业内唯一经过JEDEC认证的GaN器件。2017年3月，又推出了市场上仅有的一款经过AEC-Q101认证的650V车用GaN器件。

Transphorm公司经AEC-Q101认证的FET器件TPH3205WSBQA

Transphorm的TP65H035WSQA是符合汽车级AEC-Q101标准的GaN FET，在鉴定测试期间的温度高达175°C。该器件采用标准TO-247封装，典型导通电阻为35mΩ。与其前代产品49mΩ GenII TPH3205WSBQA一样，该器件适用于插入式混合动力电动汽车和电池电动汽车的AC/DC OBC，DC/DC转换器和DC/AC逆变器系统，可实现交流/直流无桥图腾柱PFC设计。

目前，Transphorm正在努力推出第三代常闭GaN FET技术。该技术的阈值将提高到4.0V，提高了其抗噪能力和器件性能，无需负栅极驱动，并且相比上代产品降低了整体成本。新一代GaN技术可提供传统的通孔封装（through-hole packages, TO-XXX），以及表面贴装分立封装（SMD）。与此同时，Transphorm正在基于常闭共源共栅GaN FET——金属绝缘高电子迁移晶体管（Metal Insulated High Electron Mobile Transistor）D-Mode器件，开发一种E-Mode技术。这种GaN器件的结构将有别于目前市场上其它供应商的E-Mode器件。

优势互补，技术整合共同应对GaN需求增长市场

在许多电力系统中，氮化镓（GaN）是替代硅材料的合适候选者。正如Yole在《功率GaN：外延、器件、应用及技术趋势-2018版》报告中所阐述，GaN与传统的硅基MOSFET相比具有惊人的技术优势。尽管与32.8亿美元的硅基功率半导体市场相比，目前功率GaN市场仍然很小，但GaN器件拥有较好的前景。

事实上，Transphorm在2013年就与富士通半导体的功率器件业务部进行业务合并，从而获得了GaN功率元件大规模代工制造能力，双方于2014年2月在日本成立了Transphorm日本公司，通过双方公司的合作，使之能够满足全球对氮化镓功率转换产品不断增长的需求。Transphorm公司符合JEDEC认证的制程与富士通半导体的基础技术进行整合，并导入富士通半导体福岛会津的CMOS产线，为高产量的硅芯片制造提供多项关键功能提升。在未来，预计该工厂内受欢迎的50兆欧姆产品的年装机量基数当量为1500万个部件，并可轻松扩展处理2至5倍的量。此外，当需求有保证时，技术和制造工艺可以从当前制造的6英寸晶片扩展到制造8英寸或可能更高尺寸的晶片。

Transphorm公司的独特优势包括：  · 业内唯一能够供应经JEDEC和AEC-Q101认证的技术和产品；  · 拥有业内规模最大的GaN技术专利组合；  · 最丰富的器件/封装解决方案供应能力；  · 终端客户产品已经量产的GaN供应商之一；  · 拥有较完整的外延（EPI）、设计和器件制造工艺价值链。