IGCT的逆导技术_IGCT的透明阳极

　　IGCT的逆导技术

　　GCT大都制成逆导型，与非对称型结构不同，它可与优化的续流二极管FWD单片集成在同一芯片上。穿通型GCT的最小基区厚度与二极管相同，可承受相同的阻断电压。由于二极管和GCT享有同一个阻断结（PN -），GCT的P基区与二极管的阳极相连，这样在GCT门极和二极管阳极间形成电阻性通道。逆导GCT与二极管隔离区中因为有PNP结构，其中总有一个PN结反偏，从而阻断了GCT与二极管阳极间的电流流通。

　　为了使GCT能够无吸收地关断，要求集成在其中的FWD也必须无吸收电路，并在高di/dt下关断。为此，逆导GCT的二极管部分可通过质子辐照形成非均匀的复合中心，从而控制二极管的反向恢复特性，以确保当其拖尾电流减小至零时不会产生断流现象。

　　IGCT的透明阳极

　　为了实现低的关断损耗，需要对阳极晶体管的增益加以限制，因而要求阳极的厚度要薄，浓度要低。透明阳极是一个很薄的PN结，其发射效率与电流有关。因为电子穿透阳极就像阳极被短路一样，因此称为透明阳极。传统的GTO则是采用阳极短路结构来达到相同的目的。采用透明阳极来代替阳极短路点，可使GCT的触发电流比传统无缓冲层的GTO降低整整一个数量级。而且GCT的结构与IGBT相比，因不含MOS结构而从根本上得以简化。