70MHz晶体振荡电路图

　　70MHz晶体振荡电路

　　本电路由晶体振荡器、缓冲放大器、选频放大器等组成。它的主要功能是把晶体振荡器输出的弱信号，通过放大电路，再经选频放大后，输出70MHz的基频频率信号。

　　工作原理

　　电路如图3-5所示，它是一申联型晶体振荡电路。图3-5中R1R2、R3.R4是三极管VT1的偏置电阻;C1.C2为旁路电容，使振荡管VT1的基极处于交流零电位;电感L2和电阻R5均为抑制寄生振荡元件。电感LI是回路电感，电容C3、C4C5，C6构成回路电容，C3、C4组成一个电容分压电路，将振荡电压的一-部分通过晶体SJT反馈到三极管VT1的发射极，在晶体SJT的串联谐振频率左右，晶体所呈现的阻抗很小，反馈很强，电路可以满足起振条件。

　　调节电容C5，电路可以在一个很小的频率范围内振荡，振荡频率由整个反馈环的相位平衡条件决定，而不是单单取决于晶体SJT的串联谐振频率。但由于晶体SJT的等效Q值很高，在稍微偏离晶体SJT串联谐振频率时，相移就会发生很大的变化，所以晶体SJT对谐振频率的数值起主要作用。本晶体SJT振荡器采用小公差晶体，频率稳定度较高。

　　

　　三极管VT2为缓冲放大器，主要用以稳定晶体振荡器和放大振荡信号;R8为三极管VT2的负载电阻;R9为VT2的发射极反馈电阻，用以稳定直流工作点。振荡的信号经耦合电容C8送至选频放大器VT3的基极，由VT3的集电极将放大的信号送入由电感L3、电容C11.C12组成的谐振选频回路，调整电容C11使回路谐振在基频频率上，此振荡电压应大于3V，基频信号经耦合电容C13输出70MHz的信号频率。R10、R11、R12为VT3的偏置电阻;C10为交流旁路电容;R13为VT3的发射极反馈电阻，用以稳定直流工作点。

　　元器件选择

　　三极管VTl：3DG5F，β≥100;VT2、VT3;G711D或3DG5F，β==60~80;石英晶体SJT：JA-72A-70MHz;色码电感L4、L5:LX-3A-5.6μH。其它元件参数值如图3-5标注。只要元器件选择无误，焊接正确，电路安装后只稍调节电容C5、C7和C11使信号频率准确在70MHz.上即可。若信号衰减较大，可不接电容C9.为防止高频信号分流到电源中去，本电路采用了高频扼流回路，即电感L4，L5、电容C13~C15。反过来，也抑制了电源中的谐波窜入高频电路中去，这样就可以进--步降低噪声。

　　70MHz并联晶体振荡器电路

　　图3-6为70MHz并联型晶体振荡电路。振荡器主要是由三极管VTI、晶体SJT及电容C1，C5等元件组成。

　　工作原理

　　

　　晶体SJT在电路中等效为一个电感元件使用，从而构成一个电容三端振荡电路。回路中的总电容C=（C1●C5/C1+C5）+Cm，式中Cm是与三极管VT1并联的杂散电容，包括VT1的结电容及分布电容。而电路中的电感L就是晶体SJT等效电感，于是振荡频率为f=1/2πVLC。电容C在一定范围内变化时，则频率可在一定的范围内变化。晶体SJT的标称频率是指在电路中配接一定的电容得到的。图3~6的电路可获得70MHz的频率，由耦合电容C4送入三极管VT2进行信号放大，经电容C8耦合输出。

　　其中，电阻R1，R2和电阻R5、R6、R7是三极管VT1和VT2的直流偏置元件。L2是高频扼流线圈，给振荡管VT1的集电极电流提供-一个直流通路。C2为隔直电容。C3、C7是交流旁路电容，使VT1的发射极处于交流零电位，但直流电位不为零。电感L1、电容C6、电阻R3为改善电源滤波电路，其作用是减少纹波电压以振高直流分量。略调电容C4.C8，可以改变耦合信号的大小。

　　元器件选择

　　电容C1为20p，C2为100p，C3.C7为820p，C4为56p，C5，C8为47p，C6为47p/50V.电感L1为22μH（色码电感），L2为0.3μH。电阻R1为1.6kQ，R2为1kQ，R3为750，R4为1800，1W，R5为1.3kn，R6为3kI，R7为3600，R8为4700，R9~R12为3000、2W。三极管VT1、VT2选3DG82B，65≤≤115。晶体SJT用JA9B型-70MHz。继电器KM为JUC-1M。