存储技术
1 月 16 日讯,据悉,长江存储科技有限责任公司 副董事长杨道虹表示,2019 年,国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的 64 层三维闪存产品已实现量产。
当前及接下来一段时间,产能爬坡是长江存储的核心任务。杨道虹表示,将尽早达成 64 层三维闪存产品月产能 10 万片,并按期(二期)建成 30 万片 / 月产能,提升国家存储器基地的规模效应,带动(湖北)全省集成电路产业发展。
尽管三星、镁光和 SK 海力士和东芝等几家厂商几乎垄断了全球的 NAND FLASH 市场供应,但中国闪存芯片制造业也正在崛起,且市场需求与日俱增。而长江存储就是为了打破全球垄断局面而生的。
据悉,长江存储成立于 2016 年 7 月,是我国核心半导体制造企业紫光集团旗下公司,也是中国高端芯片联盟发起单位之一,主要业务为 3D NAND 闪存设计制造等。
2017 年 10 月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款 3D NAND 闪存。2019 年 9 月初,搭载长江存储自主创新 Xtacking 架构的 64 层 TLC 3D NAND 闪存就已经正式量产。
紫光集团称,这是中国首款 64 层 3D NAND 闪存,亦是全球首款基于 Xtacking 架构设计并实现量产的闪存产品。
根据之前的介绍,长江存储科技有限责任公司早在 2018 年就公开发布其突破性技术——Xtacking,该技术将大幅提升 NAND I/O 速度到 3.0Gbps。现在,长江存储已成功将 Xtacking 技术应用于其第二代 3D NAND 产品的开发,大规模量产之后,预计会有更多的储存产品用上国产芯片。
杨道虹还透露称,不仅 64 层三维闪存产品实现量产,更高层的三维闪存产品研发也取得阶段性成果,进一步缩短了与国际龙头企业的差距。
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