半导体分立器件的命名方法

电子工程师 2008-12-19 1914
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半导体分立器件的命名方法

表9 国产半导体分立器件型号命名法
C<1W）
C<1W）
C³1W)
C³1W）

国际电子联合会半导体器件型号命名法
或NF）进行分档。
美国电子工业协会半导体器件型号命名法
的分档标志。
日本半导体器件型号命名法
1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
2) 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。
3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。
5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。
7) 在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率fT为100MHz，所以，它们也可当高频管用。
8) 日本通常把Pcm1W的管子，称做大功率管。
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