常用半导体二极管的主要参数

常用半导体二极管的主要参数

 表13 部分半导体二极管的参数

	类型
	普通检波二极管		£16	³2.5	£1	³40	20	£250	£1	fH(MHz)150
				³5		³150	100
			£25	³10	£1		£10	£250	£1	fH(MHz)40
			£15	³10			£100
	锗开关二极管			³150	£1	30	10		£3	£200
						40	20
				³200	£0.9	60	40		£2	£150
				³10	£1	70	50		£2	£150
				³250	£0.7	60	40
						70	50
	硅开关二极管			³10	£0.8	A³30 B³45 C³60 D³75 E³90	A³20 B³30 C³40 D³50 E³60		£1.5	£3
				³20						£4
				³30					£1	£5
				³50	£1
				³100
				³150
				³200
类型
整流二极管			2	0.1	£1		25 L 600
			6	0.3	£1		50 L 1000
			10	0.5	£1		50 L 1000
			20	1	£1		50 L 1000
			65	3	£0.8		25 L 1000
			30	1	1.1		50 L 1000	5
			50	1.5	1.4		50 L 1000	10
			200	3	1.2		50 L 1000	10

3.常用整流桥的主要参数

表14 几种单相桥式整流器的参数

		整流 电流/A			反向工作电压/V	最高工作 结温/oC
QL1	1	0.05	£1.2	£10		130
QL2	2	0.1
QL4	6	0.3
QL5	10	0.5
QL6	20	1
QL7	40	2		£15
QL8	60	3

    4.常用稳压二极管的主要参数

表15 部分稳压二极管的主要参数

	工作电流为稳定电流	稳定电压下	环境温度<50oC		稳定电流下	稳定电流下	环境温度＜10oC
	稳定电压 /V	稳定电流/mA	最大稳定电流/mA	反向漏电流	动态电阻/W	电压温度系数/10-4/oC	最大耗散功率/W
2CW51	2.5~3.5	10	71	£5	£60	³-9	0.25
2CW52	3.2~4.5		55	£2	£70	³-8
2CW53	4~5.8		41	£1	£50	-6~4
2CW54	5.5~6.5		38	£0.5	£30	-3~5
2CW56	7~8.8		27		£15	£7
2CW57	8.5~9.8		26		£20	£8
2CW59	10~11.8	5	20		£30	£9
2CW60	11.5~12.5		19		£40	£9
2CW103	4~5.8	50	165	£1	£20	-6~4	1
2CW110	11.5~12.5	20	76	£0.5	£20	£9
2CW113	16~19	10	52	£0.5	£40	£11
2CW1A	5	30	240		£20		1
2CW6C	15	30	70		£8		1
2CW7C	6.0~6.5	10	30		£10	0.05	0.2

5.常用半导体三极管的主要参数

表16   3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数

原 型 号		3AX31				测 试 条 件
新 型 号		3AX51A	3AX51B	3AX51C	3AX51D
极限参数	PCM(mW)	100	100	100	100	Ta＝25oC
	ICM(mA)	100	100	100	100
	TjM(oC)	75	75	75	75
	BVCBO(V)	³30	³30	³30	³30	IC＝1mA
	BVCEO(V)	³12	³12	³18	³24	IC＝1mA
直流参数	ICBO(mA)	£12	£12	£12	£12	VCB＝-10V
	ICEO(mA)	£500	£500	£300	£300	VCE＝-6V
	IEBO(mA)	£12	£12	£12	£12	VEB＝-6V
	hFE	40~150	40~150	30~100	25~70	VCE＝-1V  IC＝50mA
交流参数	fa(kHz)	³500	³500	³500	³500	VCB＝-6V  IE＝1mA
	NF(dB)	－	£8	－	－	VCB＝-2V  IE＝0.5mA  f＝1kHz
	hie(kW)	0.6~4.5	0.6~4.5	0.6~4.5	0.6~4.5	VCB＝-6V  IE＝1mA  f＝1kHz
	hre(´10)	£2.2	£2.2	£2.2	£2.2
	hoe(ms)	£80	£80	£80	£80
	hfe	－	－	－	－
hFE色标分档
管  脚

表17  3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数

型  号		3AX81A	3AX81B	测 试 条 件
极限参数	PCM(mW)	200	200
	ICM(mA)	200	200
	TjM(oC)	75	75
	BVCBO(V)	-20	-30	IC＝4mA
	BVCEO(V)	-10	-15	IC＝4mA
	BVEBO(V)	-7	-10	IE＝4mA
直流参数	ICBO(mA)	£30	£15	VCB＝-6V
	ICEO(mA)	£1000	£700	VCE＝-6V
	IEBO(mA)	£30	£15	VEB＝-6V
	VBES(V)	£0.6	£0.6	VCE＝-1V  IC＝175mA
	VCES(V)	£0.65	£0.65	VCE＝VBE  VCB＝0  IC＝200mA
	hFE	40~270	40~270	VCE＝-1V  IC＝175mA
交 流 参 数	fb(kHz)	³6	³8	VCB＝-6V  IE＝10mA
hFE色标分档
管  脚

表18  3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数

型  号		3BX31M	3BX31A	3BX31B	3BX31C	测 试 条 件
极限参数	PCM(mW)	125	125	125	125	Ta=25oC
	ICM(mA)	125	125	125	125
	TjM(oC)	75	75	75	75
	BVCBO(V)	-15	-20	-30	-40	IC＝1mA
	BVCEO(V)	-6	-12	-18	-24	IC＝2mA
	BVEBO(V)	-6	-10	-10	-10	IE＝1mA
直流参数	ICBO(mA)	£25	£20	£12	£6	VCB＝6V
	ICEO(mA)	£1000	£800	£600	£400	VCE＝6V
	IEBO(mA)	£25	£20	£12	£6	VEB＝6V
	VBES(V)	£0.6	£0.6	£0.6	£0.6	VCE＝6V  IC＝100mA
	VCES(V)	£0.65	£0.65	£0.65	£0.65	VCE＝VBE  VCB＝0  IC＝125mA
	hFE	80~400	40~180	40~180	40~180	VCE＝1V  IC＝100mA
交 流 参 数	fb(kHz)	－	－	³8	fa³465	VCB＝-6V  IE＝10mA
hFE色标分档
管  脚

表19   3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数

原 型  号		3DG6				测 试 条 件
新 型  号		3DG100A	3DG100B	3DG100C	3DG100D
极限参数	CM(mW)
	CM(mA)
	CBO(V)					C＝100µA
	CEO(V)					C＝100µA
	EBO(V)					E＝100mA
直流参数	CBO(mA)					CB＝10V
	CEO(mA)					CE＝10V
	EBO(mA)					EB＝1.5V
	BES(V)					C＝10mA  IB＝1mA
	CES(V)					C＝10mA  IB＝1mA
	FE					CE＝10V  IC＝3mA
交流参数	T(MHz)					CB＝10V IE＝3mA f＝100MHz RL＝5W
	P(dB)					CB＝-6V  IE＝3mA  f＝100MHz
	ob(pF)					CB＝10V  IE＝0
hFE色标分档
管  脚

表20  3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数

原 型  号		3DG12				测 试 条 件
新 型  号		3DG130A	3DG130B	3DG130C	3DG130D
极限参数	PCM(mW)	700	700	700	700
	ICM(mA)	300	300	300	300
	BVCBO(V)	³ 40	³ 60	³ 40	³ 60	IC＝100µA
	BVCEO(V)	³ 30	³ 45	³ 30	³ 45	IC＝100µA
	BVEBO(V)	³ 4	³ 4	³ 4	³ 4	IE＝100mA
直流参数	ICBO(mA)	£ 0.5	£ 0.5	£ 0.5	£ 0.5	VCB＝10V
	ICEO(mA)	£ 1	£ 1	£ 1	£ 1	VCE＝10V
	IEBO(mA)	£ 0.5	£ 0.5	£ 0.5	£ 0.5	VEB＝1.5V
	VBES(V)	£ 1	£ 1	£ 1	£ 1	IC＝100mA  IB＝10mA
	VCES(V)	£ 0.6	£ 0.6	£ 0.6	£ 0.6	IC＝100mA  IB＝10mA
	hFE	³30	³ 30	³ 30	³ 30	VCE＝10V  IC＝50mA
交流参数	fT(MHz)	³ 150	³ 150	³ 300	³ 300	VCB＝10V IE＝50mA f＝100MHz RL＝5W
	KP(dB)	³ 6	³ 6	³ 6	³ 6	VCB＝–10V  IE＝50mA  f＝100MHz
	Cob(pF)	£ 10	£ 10	£ 10	£ 10	VCB＝10V  IE＝0
hFE色标分档
管  脚

表21  9011~9018塑封硅三极管的参数

型  号		(3DG) 9011	(3CX) 9012	(3DX) 9013	(3DG) 9014	(3CG) 9015	(3DG) 9016	(3DG) 9018
极限参数	PCM(mW)	200	300	300	300	300	200	200
	ICM(mA)	20	300	300	100	100	25	20
	BVCBO(V)	20	20	20	25	25	25	30
	BVCEO(V)	18	18	18	20	20	20	20
	BVEBO(V)	5	5	5	4	4	4	4
直流参数	ICBO(mA)	0.01	0.5	0,5	0.05	0.05	0.05	0.05
	ICEO(mA)	0.1	1	1	0.5	0.5	0.5	0.5
	IEBO(mA)	0.01	0.5	0,5	0.05	0.05	0.05	0.05
	VCES(V)	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.35
	VBES(V)		1	1	1	1	1	1
	hFE	30	30	30	30	30	30	30
交流参数	fT(MHz)	100			80	80	500	600
	Cob(pF)	3.5			2.5	4	1.6	4
	KP(dB)							10
hFE色标分档
管  脚

表22 常用场效应三极管主要参数

参数名称	N沟道结型				MOS型N沟道耗尽型
	3DJ2	3DJ4	3DJ6	3DJ7	3D01	3D02	3D04
	D~H	D~H	D~H	D~H	D~H	D~H	D~H
饱和漏源电流IDSS(mA)	0.3~10	0.3~10	0.3~10	0.35~1.8	0.35~10	0.35~25	0.35~10.5
夹断电压VGS(V)	<ï1~9ï	<ï1~9ï	<ï1~9ï	<ï1~9ï	£ï1~9ï	£ï1~9ï	£ï1~9ï
正向跨导gm(mV)	>2000	>2000	>1000	>3000	³1000	³4000	³2000
最大漏源电压BVDS(V)	>20	>20	>20	>20	>20	>12~20	>20
最大耗散功率PDNI(mW)	100	100	100	100	100	25~100	100
栅源绝缘电阻rGS(W)	³108	³108	³108	³108	³108	³108~109	³100
管脚

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