通信设计应用
增益变化过高导致喇叭损坏
手机上常用的单声道D类功放采用外接输出电阻(如图1)调节增益,由于增益误差引起喇叭损坏,这个问题已逐渐引起手机厂商的关注。近期,国内多家知名手机制造商均有反馈,在手机设计中采用大增益单声道D类功放,终端客户大音量播放声音,长期使用有损坏喇叭的现象,即使更换了包括国外大厂在内的其他芯片,问题仍没有得到明显改善。后来改用埃派克森微电子的D类功放A7013,返修现象大幅下降近80%。
众所周知,半导体工艺很难获得绝对值准确的电阻,通常使用的多晶硅电阻的绝对值变化率为±20%,而外部电阻相对来说绝对值较为精准。因此当客户使用大增益工作的时候,增益容易偏移出喇叭的最大功率范围,从而引起喇叭损坏。而半导体工艺中很容易获得电阻相对值匹配的精准,刻意匹配布局就能很容易达到0.1%的匹配精度,我们可以利用这一点来避免由于内部电阻偏移引起的增益偏移,具体方案如下:
图1 传统增益设置, 图2 改进后的增益设置
方案一:如图2所示,在保证外部增益可控的同时,片内保留10k输入电阻。(以下假设片外电阻不会有绝对值偏差)
假设如图1中300k芯片内部电阻偏移20%,则增益会偏移20%,正常15倍的增益会偏移12到18倍,因此功率会超过额定功率。
Gainmax=300×120%/20=18=15×(1+20%)
Gainmin=300×80%/20=12=15×(1-20%)
如果采用如图2改进后的增益设置,同样假设300k电阻偏移20%,则内部10k电阻也会同比例偏移20%(由于匹配精度可以达到0.1%)。
Gainmax=300×120%/(10+10×120%)=16.36=15×(1+9.1%)
Gainmin=300×80%/(10+10×80%)=13.33=15×(1-11.1%)
所以改进后的方案中,增益最大值偏移9.1%,增益最小值偏移11.1%,远远低于改进前20%的偏移水平。
方案二:
通过牺牲芯片成品率的方式,将芯片筛选到电阻漂移10%,同样改进后的方法也会获得更精准的增益上限,从而避免了手机厂商增益向大偏移而引起的喇叭损坏。
方案三:
产品也可以通过自动增益控制(AGC)来实现,大功率时避免烧坏喇叭。但这种方案通常成本大大提高。
由此可见,对于D类功放IC设计公司来说,方案一不会增加成本,并且手机生产厂商在应用时,也可以避免由于增益偏移而使喇叭频频被损坏的现象。A7013结合了方案一和方案二的优点,在同类产品中唯一实现了成功而成熟的方案。
此外,针对喇叭损坏的问题,通过研究手机喇叭的响应频段可以发现,手机喇叭只能响应300Hz以上的频段,这就导致300Hz以下频段的功率都作为热损耗掉了。改变输入电容可以改变输入信号带宽,滤除不能被喇叭响应的频段功率,从而降低了峰值功率,对喇叭的可靠性也有一定影响。
图2中给出的方案对于改善噪声干扰也有一定的优势。在图1中,如果客户布局不慎,在运放输入端耦合微弱噪声,则该噪声会被以运放开环增益(上万倍)的倍数放大,在喇叭中就会出现听得到的耦合噪声。而采用图2中的方案,只要芯片内部在运放输入端做相应考虑,则在外部输入引脚引入的微弱噪声只能放大几十倍,从而大大方便了客户在这部分的布局。
改善功放音效
近年来人们对于D类功放的通常印象是高电源效率和较差的音质,针对D类功放的音质,业界一直有争论,埃派克森A7013采用自主专利的增强反馈架构(EFS)改善D类功放的音质。做到高电源效率的同时,又极大改善了D类功放的失真,从而使得D类功放在音质和效率方面都获得极大优势。
如图3和表1,可以看出EFS技术改善D类功放失真的作用,在整个功率范围内采用EFS技术的A7013失真均做到了最低;同时由于高功率THD+N的改善,A7013在1%以下失真的最大功率方面也有突出表现。
图3 采用EFS方案对THD+N的改善。(图中所引用数据均来自产品数据手册)
表1 采用EFS方案其他性能的改善。(表中所引用数据均来自相应产品数据手册)
埃派克森D类功放A7013在保持其高效率、低失真的同时,考虑了客户具体应用中的问题,在可靠性和性能方面提供了完善的解决方案。A7013 具有WCSP9和DFN8两种封装,已经在手机设计厂商和品牌客户中大量应用。
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