Intel大连公司破记录 QLC 3D NAND存储芯片产量突破1000万

自2018年底以来，Intel公司的中国大连工厂已经累计生产QLC NAND芯片超过1000万个。

英特尔Intel大连公司（Fab 68）是英特尔全球的第一个存储器芯片工厂，是英特尔全球最先进的存储器生产基地之一，主要产品是英特尔第一代代 3D NAND 芯片。

详细信息：

英特尔半导体（大连）有限公司成立于2006年06月06日，注册地位于辽宁省大连经济技术开发区淮河东路。

主要经营范围是：半导体集成电路产品制造、封装测试、加工、仓储、销售自产产品和售后服务；高科技信息领域内的与半导体集成电路产品和技术有关的研发、中试；提供安装、测试、维护、咨询、技术解决方案等技术服务（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。）

英特尔公司（Intel）在2019年4月推出了具有固态存储的英特尔Optane内存H10。该产品将Optane技术的响应能力与QLC 3D NAND技术的M.2存储能力相结合。

英特尔客户SSD战略规划和产品营销总监Dave Lundell表示：“ 许多人都在谈论QLC技术，但英特尔已经大规模交付了它。” “ 我们已经看到了对独立QLC SSD（英特尔SSD 660p）的高性价比容量以及Optane Technology + QLC解决方案（Intel Optane Memory H10）的性能的强烈需求。“

相关信息：

Intel QLC 3D NAND用于 Intel SSD 660p， Intel SSD 665p和 Intel Optane Memory H10 存储解决方案。；

这些QLC驱动器每个单元具有4位，并以64层和96层NAND配置存储数据；

该公司在过去十年中一直在开发这项技术。在2016年，其工程师将业已证明的浮栅（FG）技术的方向更改为垂直，并将其包裹在栅的全方位结构中。最终的TLC技术可以存储384Gb /裸片。在2018年，3D QLC闪存成为现实，它具有64个层（每个单元4位），能够存储1，024Gb /管芯。在2019年，英特尔迁移到96层，从而降低了总体面密度；

QLC是英特尔总体存储产品组合的一部分，该产品组合包括客户端和数据中心产品。