存储技术
(文章来源:DoNews)
距离JEDEC正式发布UFS 3.1规范还不到一个月,铠侠(Kioxia)和西部数据(WD)就已经推出了首款适用于智能手机的UFS 3.1兼容存储器。前者将很快把相关样品交付给制造商,后者亦有望在下月实现商用,正好可以赶上5G主流智能机厂商的新品发布。
西部数据的iNAND EU521嵌入式方案,采用了行业标准的11.5×13×1.0mm封装形式,辅以该公司专有的主控方案+96层3D TLC闪存,可选128/256GB容量。因内部并行度较低,iNAND EU521读/写速度可达800 MB/s,较去年推出的iNAND 511方案(750 MB/s)有一定的提升。
iNAND EU521支持UFS 3.1的三项关键改进:(1)通过SLC缓存模拟来加入写入性能;(2)深度睡眠模式;(3)性能节流通知。西部数据强调称,通过固件更新来实现的SmartSLC Gen 6写入加速技术,已在该公司iNAND产品线上使用多年、且迎来了多种方式的改进。
需要注意的是,其并不支持任何类型的主机性能加速(Host Performance Booster),这对128/256GB的小容量存储器并没有那么重要(512GB 版本可能在后续发布)。铠侠的UFS 3.1解决方案略有不同,该公司将提供一系列符合UFS 3.1规范的驱动器,采用11.5×13×1.0mm封装、可选128/256/512GB和1TB容量。
铠侠使用最新的BiCS 3D NAN闪存,但暂未透露将有哪些设备采用。该公司使用了自研的UFS 3.1主控,支持写入加速、深度睡眠和性能节流通知等标准特性。铠侠强调顺序读取较UFS 3.0产品提升了约30%(HPB亦有望提升随机性能),但实际表现暂不清楚。至于有哪些智能手机厂商会采用该公司的方案,还不得而知。
(责任编辑:fqj)
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