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MRAM是基于电子自旋而不是电荷的下一代存储技术。MRAM通常被称为“存储器的圣杯”,具有快速,高密度和非易失性的特点,可以在单个芯片中替代当今使用的所有类型的存储器。
Everspin是全球唯一的磁性RAM(MRAM)产品商业制造商。Everspin产品凭借其非常成功的ToggleMRAM技术,被用于从汽车,航空和存储系统到工业自动化,航空航天等领域的各种应用。我司英尚微电子everspin代理,主要提供用户各种容量大小的MRAM芯片产品,提供完善的产品技术和解决方案。
Everspin Technologies宣布已修订与GLOBALFOUNDRIES的STT-MRAM联合开发协议(JDA),以为高级12nm FinFETMRAM解决方案的未来项目设定条件。Everspin协议包括40nm,28nm和22nm工艺,现在还包括12nm。
Everspin 1Gb STT-MRAM芯片照片
GF最近宣布已在其22FDX平台上实现了嵌入式MRAM(eMRAM)的初步生产。
Everspin MRAM 128Kb
Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | Order Multiple /Tray | MOQ / Tray | MOQ / T&R |
128Kb | 16Kx8 | MR25H128ACDF | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 |
128Kb | 16Kx8 | MR25H128ACDFR | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 |
128Kb | 16Kx8 | MR25H128APDF | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 |
128Kb | 16Kx8 | MR25H128APDFR | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 |
128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 1,140 | 4,000 |
128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 1,140 | 4,000 |
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