带ECC的CMOS汽车异步SRAM

ISSI  IS61/64WV5128EDBLL描述

ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速异步SRAM，4,194,304位静态RAM，组织为524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可提供高性能和高性能低功耗设备。
 
当CE为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。
 
通过使用芯片使能和输出使能输入CE和OE，可以轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。
 
IS61/ 64WV5128EDBLL封装在JEDEC标准的44引脚TSOP-II，36引脚SOJ和36引脚Mini BGA（6mm x 8mm）中。
 
产品特征
•高速访问时间：8、10 ns
•低有功功率：85 mW（典型值）
•低待机功率：7 mW（典型值）
CMOS待机
•单电源
-Vdd 2.4V至3.6V（10 ns）
-Vdd 3.3V±10％（8 ns）
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•三态输出
•工业和汽车温度支持
•无铅
•错误检测和错误纠正

ISSI 同系列主要产品

型号	容量	位宽	电压(V)	速度(ns)	封装(Pins)
IS61WV5128EDBLL	4Mb	512Kx8	2.4-3.6V	8,10	TSOP2(44),BGA(36)
IS61WV5128ALL/BLL	4Mb	512Kx8	1.65-3.6V	8,10,20	SOJ(36),TSOP2(44),BGA(36)
IS64WV5128EDBLL	4Mb	512Kx8	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(36)