东芝推出新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET

　　–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–

　　中国上海，2020年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

　　U-MOS X-H系列产品示意图

　　新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

　　由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性［1］之间的平衡也得到了进一步的改善［2］。因此，新产品可提供业界最低［3］功耗。

　　东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。

　　应用：

　　・开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）

　　・电机控制设备（电机驱动等）

　　特性：

　　・业界最低［3］功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性［2］之间的平衡）

　　・业界最低［3］导通电阻：

　　RDS（ON）=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）

　　RDS（ON）=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）

　　・高额定通道温度：Tch=175℃

　　主要规格：

　　（除非另有说明，@Ta＝25℃）

　　注释：

　　［1］ 总栅极电荷（栅源+栅漏）、栅极开关电荷、输出电荷。

　　［2］ 与TPH4R008NH（U-MOS Ⅷ-H系列）进行比较，TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31%。

　　［3］ 截至2019年3月30日，东芝调研。