分析MOS管驱动电流的三个窍门

驱动的电路中，针对MOS管的驱动电流是需要特别进行估算的。当然估算的方式不止一种，一般常用的估算方式有3种方式，本文就将对这三种估算方式进行介绍。并对每种估算方式进行讲解，感兴趣的朋友快来看一看吧。

第一种：公式估算法

可以使用如下公式估算：

Ig=Qg/Ton

其中：

Ton=t3-t0≈td（on）+tr

td（on）：MOS管导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。

Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间

Qg=（CEI）（VGS）或Qg=Qgs+Qgd+Qod（可在datasheet中找到）

第二种：（第一种的变形）

密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；

Ig=［Vb-Vgs（th）］/Rg；

Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；

第三种：曲线估算法

以一个实际MOS管为例，看DATASHEET里有条TotalGateCharge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在0.2us内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。