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MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。MRAM技术仍远未实现其潜力,但截至2020年初,市场上有从很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片,并且公司正在将该技术用于许多应用。
虽然有了这么多的论文和研究成果,但是目前并没有MRAM实际产品制造出来。
另一个有趣的问题就是MRAM保存数据的稳定性,热稳定性毫无疑问会影响数据的保留期限,温度越高就越不稳定,这就需要平衡数据保存的期限。
一般的半导体数据保存期限是10年,为此需要1bit或者2bit的ECC校验单元,而sram缓存上已经集成了ECC功能,从这点上来看没有增加成本,是一种合适的选择。
Intel指出做缓存的情况下,半导体保存数据的期限远远没必要达到10年这么高,可以适当降低热稳定性要求,这一点是非常重要的,甚至一个月的时间都太长了,能保持数据2周就可以了。
考虑到MRAM写入速度较低的缺点,降低热稳定性要求其实是好事一件,因为它可能改变MRAM的存储单元,带来提高数据写入速度的可能,使得MRAM更加适合缓存的要求。
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