半导体器件
(1)降额法
通过降额法计算IGBT器件并联时工作的总安全电流,使IGBT器件工作在允许承受的电流范围内。
(2)阻抗平衡法
在每个并联支路串联一定阻值的电阻,电流可平均分配到各个支路中,电路原理如图1所示。该电路的优点是结构简单,成本低,但会带来较大的功率损耗,降低系统的整体效率。
(3)驱动信号延迟调整
驱动信号存在延迟,IGBT导通的时间存在差异,会导致并联电流不均衡。图2所示为驱动信号延迟调整电路原理图。补偿栅极电阻值也可以用来改变IGBT的导通延迟时间,使驱动信号实现同步。把变比1:1的脉冲变压器串联连接到驱动电路与栅极之间,通过变压器磁親合的方式来调整驱动信号,改善其动态不均流。
(4)主动口级控制法
通过控制驱动信号延时和栅极电压实现。动态均流控制时,检测流过每个并联IGBT的电流,求平均值,通过动态均流控制器将支路电流与平均电流值的差异转换成时间差,在下个开关周期予补偿。静态均流控制时,通过静态均流控制器转换成栅极电压差值,在下个开关周期予以补偿。
并联连接时的电流平衡:
由于门极-发射极连线电感LG、RG、还有Cies之间的关系,如果在门极驱动环路内发生震荡,有可能因为误动作和不饱和动作而导致元件损坏。不发生震荡的RG的最小值与√LG成正比增大。因此,应在尽可能减小电感的同时,令RG在推荐值以上。
1、分布电感的差距与开通和关断时的过渡电流的不均衡有关。请尽可能使IGBT之间集电极和发射极的连接线相同,并且尽可能短。
2、请对每个IGBT元件附加门极电阻,并使各门极连线电感相同且尽可能短的使用门极连接线。连接至发射极的门极配线不要连接在主端子上,请连接在专用(辅助)端子上。
3、IGBT的饱和电压VCE(sat)等受温度的影响。请尽可能缩小模块间温度上升之差。
并联工作用VCE(sat)等级分类:
并联工作时,为了解决IGBT元件的均流问题,因此,每个IGBT元件的实际工作电流只能是它的额定值的80%左右。例如,四个300A模块并联时,预计总电流约为300×0.8×4=960A左右。
如果您有需要使用600V时超过1,200A、1200V时超过800A的元件,我们可以提供满足您需要的VCE(sat)等级分类的产品。有关详细内容,请与我们联系。
有关设备故障时的维修品,我们将为您提供属于某一相同等级的一组模块,但有可能不是原等级的产品。
并联工作时,为了解决IGBT元件的均流问题,因此,每个IGBT元件的实际工作电流只能是它的额定值的80%左右。例如,四个300A模块并联时,预计总电流约为300×0.8×4=960A左右。
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