半导体应变计性能

实验 半导体应变计性能
实验原理：
半导体应变计主要是根据硅半导体材料的压阻效应制成，当半导体晶体受到作用力时，晶体除产生应变外，电阻率也会发生变化。
与金属应变片相比，半导体应变计灵敏系数很高，可达100~200，但是在稳定性及重复性方面都不如金属箔式片。实际使用时都是采用全桥工作形式以达到相对稳定。
实验所需部件：
贴于双平行悬臂梁上的半导体应变计（一片）、直流稳压电源（2V）、应变式传感器实验模块、电压表、应变加热器

实验步骤：
1、按图（4）将半导体应变计接入差动放大器、电桥、电压表、注意直流激励输出电压为2V，以免因为电压过高引起半导体应变计自热。

2、连接主机与模块的电源并开启，调节电桥WD电位器，使系统输出为零，此时差动放大器增益可置最大电压表可先置20V 档。
3、用手提、压平行悬臂梁上下各约5mm ,观察电路输出电压变化范围、应变梁弹性恢复及重复性情况。
4、打开“应变加热”开关，观察半导体单臂电桥的温飘情况。（此时电压表应放20V 档）
注意事项：
由于半导体应变计非常灵敏，当环境温度有微小变化时都会引起电桥不平衡，电路输出电压变化。随着加热温度的改变，半导体单臂电桥系统输出电压要有一个相当长的时间才能基本稳定。