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AEC-Q100认证是什么?
AEC-Q100对IC的可靠性测试可细分为加速环境应力可靠性、加速寿命模拟可靠性、封装可靠性、晶圆制程可靠性、电学参数验证、缺陷筛查、包装完整性试验,且需要根据器件所能承受的温度等级选择测试条件。需要注意的是,第三方难以独立完成AEC-Q100的验证,需要晶圆供应商、封测厂配合完成,这更加考验对认证试验的整体把控能力。广电计量将根据客户的要求,依据标准对客户的IC进行评估,出具合理的认证方案,从而助力IC的可靠性认证。
如果成功完成根据本文件各要点需要的测试结果,那么将允许供应商声称他们的零件通过了AEC Q100 认证。供应商可以与客户协商,可以在样品尺寸和条件的认证上比文件要求的要放宽些,但是只有完成要求实现的时候才能认为零件通过了AEC Q100 认证。
GRGT芯片测试能力:芯片可靠性验证 ( RA);芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ;高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ;温度循环试验(TC), JESD22-A104 ;温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ;高加速应力试验(HTST / HAST), JESD22-A110;高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108。
芯片静电测试 ( ESD):人体放电模式测试(HBM), JS001 ;元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ;闩锁测试(LU), JESD78 ;芯片IC失效分析 ( FA):光学检查(VI/OM) ;扫描电镜检查(FIB/SEM);微光分析定位(EMMI/InGaAs);OBIRCH ;Micro-probe;聚焦离子束微观分析(FIB);弹坑试验(cratering);芯片开封(decap);芯片去层(delayer)。
晶格缺陷试验(化学法),PN结染色 / 码染色试验,推拉力测试(WBP/WBS),红墨水试验,PCBA切片分析(X-section)。
芯片材料分析:高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF);SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD);Raman (Raman光谱);AFM (微观表面形貌分析、台阶测量)。
AEC-Q100试验后元器件失效分析项目:
① 形貌分析技术:体视显微镜、金相显微镜、X射线透视、声学扫描显微镜、扫描电镜、透射电镜、聚焦离子束。
② 成分检测技术:X射线能谱EDX、俄歇能谱AES、二次离子质谱SIMS、光谱、色谱、质谱
③ 电分析技术:I-V曲线、半导体参数、LCR参数、集成电路参数、频谱分析、ESD参数、电子探针、机械探针、绝缘耐压、继电器特性。
④ 开封制样技术:化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片。
⑤ 缺陷定位技术:液晶热点、红外热像、电压衬度、光发射显微像、OBIRCH。
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