存储单元结构

静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元的面积变得尤为重要。
 
在存储器中有大量的存储元，把它们按相同的位划分为组，组内所有的存储元同时进行读出或写入操作，这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可以存放一个字节；存储单元是CPU访问存储器的基本单位.
 
从结构上分，CMOS SRAM 存储单元有电阻-晶体管结构（4T-2R 存储单元）和静态六管全互补结构（6T 存储单元）。
 

图1 4T-2R存储单元结构      图2 6T 存储单元结构

4T-2R 存储单元的存储器并非完全意义的CMOS 电路，它们的存储单元往往选用同一沟道的晶体管，而在外围电路的实现中采用了CMOS 电路；与6T 单元10 高速低功耗SRAM的设计与实现相比，采用单一沟道的存储单元不但会减少工艺的复杂度，而且能有效的减小芯片面积，这主要是因为不需要额外的面积来隔离N-well 或P-well。
 
六管存储单元采用了一根单一的字线、一根位线和一根反相的位线。互为反相的两根位线通常称为 bit和bit_。单元中包括了一对交叉耦合的反相器，并且每根位线连接了一个存取晶体管。一对互补的数据存储在交叉耦合的反相器上。如果数据受到轻微的干扰，由回路构成的正反馈将使数据恢复到VDD或GND。

Vilsion常用串行SRAM型号表
 

型号	容量	位宽	电压(V)	速度(MHz)	接口	温度	封装	包装	状态
VTI7064LSM	64Mbit	8M x 8	1.8	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7064LSM	64Mbit	8M x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7064MSM	64Mbit	8M x 8	3	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7064MSM	64Mbit	8M x 8	3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7032LSM	32Mbit	4M x 8	1.8	133	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7032LSM	32Mbit	4M x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7016LSM	16Mbit	2M x 8	1.8	133	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7016LSM	16Mbit	2M x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7001NSM	1Mbit	128K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7001LSM	1Mbit	128K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7512NSM	512Kbit	64K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7512LSM	512Kbit	64K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7256NSM	256Kbit	32K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7256LSM	256Kbit	32K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7128LSM	128Kbit	16K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7128NSM	128Kbit	16K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP

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