《涨知识啦10-边缘终端》---p型保护环

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《涨知识啦10-边缘终端》---p型保护环

本周《涨知识啦》给大家带来的是边缘终端系列内容的第三讲,在上一讲中提到过,当器件中形成平面结时,边缘位置过强的局部电场容易导致器件提前击穿,为此采用场板结构来改善器件边缘电场。除此之外,还有一种结构同样可以高效地实现对边缘电场的改善,提高器件的击穿电压,即‘p型保护环’(如下图)。

击穿电压

P型保护环也被称为浮空场环,不与任何电极相连,主要利用pn结在平衡态下形成的耗尽区,当场环形成的耗尽区与主结形成的耗尽区相连后,便拓宽了主结边缘位置的耗尽区宽度,从而降低了主结边缘电场。该结构虽降低了主结边缘电场,在一定程度上避免了主结的击穿,但如果场环的参数选取不合理,在场环形成的耗尽区仍然有可能发生击穿,因此就需选用多级场环的结构(如下图),通过调整场环窗口的宽度以及场环间间距,逐步消耗表面电场,从而避免器件提前击穿。且该结构只需在掩膜上设计出场环的窗口,在扩散主结的同时便可形成场环,不必增加工艺步骤,流程简单,易于实现。

击穿电压

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