SiC MOSFET是具有低导通电阻和紧凑的芯片

安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片，可确保低电容和栅极变化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系统的好处包括最高效率、更快工作频率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。典型应用包括DC-DC转换器、升压逆变器、UPS、太阳能和电源。

特性

典型值 RDS（on）=20mΩ（典型值）

超低栅极电荷 （QG（tot）=200nC）

低有效输出电容 （Coss=295pF）

100%经雪崩测试

符合RoHS指令

优势

20毫欧

200nC的

295pF

应用

DC-DC转换器

升压逆变器

终端产品

UPS

太阳能的

电源

产品型号：NTBG020N090SC1

碳化硅MOSFET，N沟道，900V，20mΩ，D2PAK-7L

产品信息

制造商： ON Semiconductor

产品种类： MOSFET

RoHS： 详细信息

技术： SiC

安装风格： SMD/SMT

封装 / 箱体： D2PAK-7

通道数量： 1 Channel

晶体管极性： N-Channel

Vds-漏源极击穿电压： 900 V

Id-连续漏极电流： 112 A

Rds On-漏源导通电阻： 28 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 10 V， 19 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4.3 V

Qg-栅极电荷： 200 nC

最小工作温度： - 55 C

最大工作温度： + 175 C

Pd-功率耗散： 477 W

配置： Single

通道模式： Enhancement

封装： Cut Tape

封装： Reel

晶体管类型： 1 N-Channel

商标： ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值： 49 S

下降时间： 13 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 52 ns

工厂包装数量： 800

子类别： MOSFETs

典型关闭延迟时间： 58 ns

典型接通延迟时间： 39 ns

NVMFS5C628N功率MOSFET

安森美半导体NVMFS5C628N功率MOSFET是采用高效设计的紧凑型汽车用功率MOSFET，具有较高的散热性能。这些MOSFET采用5mm×6mm扁平引线封装，包括可湿性侧翼选项，用于增强型光学检测。NVMFS5C628N功率MOSFET具有低RDS（on）值、QG值和栅极电容，可最大限度地降低导通和开关损耗。典型应用包括反向电池保护、开关电源、电源开关、电磁阀驱动器、电机控制和负载开关。

特性

占位面积小 （5mm x 6mm），用于紧凑型设计

汽车设计

低RDS（on）值，可最大限度地降低导通损耗

低QG和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗

NVMFS5C628NWF - 可润湿侧面选项，用于增强型光学检测

符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能

无铅，符合RoHS指令

优势

最小化传导损耗

最小化开关损耗

紧凑的设计和标准尺寸，可直接插入

增强光学检查

汽车设计

应用

反向电池保护

开关电源

电源开关（高侧驱动器，低侧驱动器，H桥等）

电磁驱动器

电机控制

负载开关

终端产品

电磁驱动器– ABS，燃油喷射

电机控制– EPS，刮水器，风扇，座椅等

负载开关– ECU，底盘，车身

产品型号：NVMFS5C628NWFT1G

MOSFET-电源，单N通道60V，3.0mΩ，150 A

产品说明：MOSFET T6 60V SG

制造商： ON Semiconductor

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

封装 / 箱体： DFN-5

通道数量： 1 Channel

晶体管极性： N-Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 150 A

Rds On-漏源导通电阻： 3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： 34 nC

最小工作温度： - 55 C

最大工作温度： + 175 C

Pd-功率耗散： 110 W

配置： Single

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q100

封装： Cut Tape

封装： MouseReel

封装： Reel

晶体管类型： 1 N-Channel

商标： ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值： 110 S

下降时间： 6.2 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 5.8 ns

工厂包装数量： 1500

子类别： MOSFETs

典型关闭延迟时间： 25 ns

典型接通延迟时间： 16 ns

单位重量： 107.200 mg
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