采用JFET晶体管置于电路中实现高频LC振荡器的设计

将JFET用于不寻常的电路结构中，就可以设计出无源元件很少的简单高频LC振荡器。实现放大器级的结构包括一只以共漏方连接的JFET晶体管（图 1）。当JFET工作在饱和区时，漏极电流ID为：

式中，IDSS为最大饱和电流，VP为夹断电压。你可利用一个无限大的输入阻抗和一个受栅-源电压控制的电流源来构建这只在小信号状态下工作在饱和区的JFET的模型。下列公式确定JFET的小信号跨导：

栅极电阻 RG提供栅极到地的必要连接。RG的典型值在几兆欧姆范围内，以提供放大器结构所需的高阻抗。电阻 RS可使晶体管偏置，其阻值由下述公式确定：

要完成整个振荡电路，还要在放大级增加一个 LC 谐振回路（图 2），最终形成一个考毕兹振荡器。由于 LC 谐振回路的电感，栅极与地之间存在直流连接，消除了放大器的栅极电阻。

用巴克豪森准则对这一电路进行分析，电路的振荡频率 f0为：

电路起振所需电容器条件为：

或，放大器级的电压增益AV，即VOUT（t）/VG（t）为：

式中共漏级电压增益为：

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