Agilent脉冲参数测试仪的应用特点及优势分析

安捷伦科技的Agilent 4075和4076 DC/RF/脉冲参数测试仪，用来检定使用高级工艺技术（如65 nm技术节点）制造的器件。通过Agilent 4075和4076，半导体测试工程师可以同时测量RF特点和DC特点，以满足当前体积日益缩小的多样化半导体器件需求，如65 nm及更高工艺的超薄栅氧化物晶体管、绝缘体上硅（SOI）晶体管和高介电常数（高k）器件。

体积缩小和器件速度提高，日益需要在生产过程中实现新的参数测试功能，而过去只有在实验室中才需要这些功能。Agilent 4075和4076为精确检定新的器件结构提供了所需的灵活性，如超薄栅氧化物MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管）或通信应用中使用的高速半导体器件。通过先进的设计，Agilent 4075和4076支持10-ns短脉冲式IV测量，对热量或电荷异常灵敏的器件必需进行此类测量，如高速逻辑应用中使用的SOI晶体管和高介电常数晶体管。此外，Agilent 4076支持直到1 fA的超低电流测量功能。

与整个4070系列一样，Agilent 4075和4076支持300 mm SECS/GEM自动化协议，这些协议已经在世界各地的生产线中得到验证。SECS/GEM是半导体行业的标准，保证制造设备共享一致的界面和行为。

现代超薄栅MOSFET容易受到电子隧道的影响。为检定其电容和电压（CV）行为特点，测量频率必需超过几兆赫。但是，高频CV （HFCV）及实现检定必需的射频频率CV （RFCV）测量技术之间相互抵触。Agilent 4075和4076同时支持HFCV （4294A）仪器和RFCV （ENA/PNA）仪器，使得用户能够选择最佳方法，满足自己的工艺技术和生产测试需求。

Agilent 4075和4076都把高速电容测量单元（CMU）集成到测试头中。这一功能可以在1 kHz - 2 MHz频率范围内，对层间/层内氧化物非常快速地进行电容测量，从而改善吞吐量，降低测试成本。

通信应用和高速逻辑应用要求深入检定高速半导体器件的性能。Agilent 4075与4076皆支持利用PNA进行RF的S参数测试功能，相对于目前市面上使用VNA的解决方案，以PNA为主的RF解决方案可提供更高的产出速度。

诸如SOI或高k等最新的先进技术需要超短的脉冲测试能力，以防止产生有害的热量或电荷敏感效应。然而，生产测试系统的脉冲式测量能力却只限于测量微秒的范围。Agilent 4075与4076可提供短至10纳秒的超短脉冲式IV测量能力，能有效地测量SOI或高k晶体管等对热或电荷高度敏感组件的特性。

Agilent 4076还为生产测试提供了实验室测试功能。高级工艺通常要求在生产中精确测量各种参数，如MOSFET低于门限的泄漏电流和铜（Cu）金属Van der Paw电阻。这些测量要求异常精确的电流和电压测量分辨率，而此前只有实验室中才能提供这种分辨率。

Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超短脉冲式IV测量功能都可以在整个新设计的直接对接接口上使用。这种直接对接的设计可通过自动化的探针卡更换机制，让使用者轻易地控制和变换探针卡，而且这种RF直接对接的方式也不会减少任何的DC针脚。

诸如测量链接库和校准工具等操作简易、采用图形化使用者接口的软件皆支持这些RF、HFCV和脉冲式IV测量功能。

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