GaAs和GaN混合集成微波功率放大器已实现量产

随着目前美国对我国各个行业的限制，特别是在包括Sub-1G的自组网等射频通信领域的限制更加严格，我们需要发展自己的好性能芯片，尤其是通信装备就更加敏感了，现在我们就来介绍下一种新的微波大功率放大器的研发思路与产业化状况。

微波大功率放大器的研制中，常需要采取多级功率放大器级联工作，来达到理想的增益、输出功率和效率，并对该微波功放模块进行内匹配电路设计，将其输入输出特征阻抗匹配到系统阻抗，然后采用混合微波集成电路的封装技术，将多个功率器件、内匹配电路等封装在一起。

对于混合集成微波功放的设计者来说，有两个问题需要优先考虑：半导体器件的选用、基板材料的选用。

要设计一款高频率、高增益、大功率输出的微波功率放大器，从器件的选用上可以采用混合集成电路工艺，将GaAs器件作为驱动级，LDMOS/GaN器件作为功率输出级，设计一种GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器，将能够得到更小的尺寸与更优的性能。但是，LDMOS/GaN功率芯片输出功率很大，对散热的要求非常高，对基板材质的性能要求也相应提高。因此，在基板材料的选择上，常用的传统基板已不符合要求，需要一种耐热性高、损耗小、热膨胀系数低的高性能基板材料。

为克服上述现有技术的缺陷与不足，苏州英诺迅推出了一款基于自有创新专利(专利号：CN201520451482.2)的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器YPM04074540。

YPM04074540是高增益、高功率、高效率、高集成度的功率放大器模块（PAM），封装尺寸仅1cm*1cm，旨在用于需要高达8W的输出功率的TETRA通信。PAM通过CW信号输入可提供45 dB的典型增益和10W的输出功率，典型静态偏置条件是60mA时为28V，输入和输出内部匹配，并且内部集成了电源检测单元和ESD保护单元。

主要性能指标：工作频段：400-678MHz；典型增益：45dB；典型输出功率：40dBm；输入回波损耗：>15dB；工作电压：28V；静态电流：60mA；输入输出内部匹配 ；内部集成功率检测单元 ；内部集成ESD保护单元 ；工艺：InGaP/GaAs HBT和GaN pHEMT工艺 ；封装：LGA 10mm*10mm*1.1mm。

fqj