ALLOS与KAUST即将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED

据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。

据了解，大晶格失配（lattice mismatch ）和量子限制斯塔克效应（quantum-confined Stark effect，QCSE）等问题限制了红色氮基LED在实际工业应用中的使用，而ALLOS与KAUST本次合作将致力于解决这些基本问题。

值得注意的是，在Micro LED显示领域，除了蓝色和绿色LED之外，Micro LED显示还对在大尺寸晶圆上生长红色LED有强劲的需求，目的在于降低制造复杂性和成本。

据悉，KAUST团队此前通过采用局部应变补偿（Local Strain Compensation）和改良后的MOCVD反应器设计，在开发正向电压（Forward Voltage）低于2.5V且高效的InGaN基红色Micro LED方面获得了一些突破。他们已在蓝宝石衬底和Ga2O3（氧化镓）衬底上生长出红色LED。

为了采用晶圆级（尤其是大尺寸晶圆）工程应变技术来开发潜在高性能红色LED，KAUST团队与ALLOS共同将研究工作延伸到硅衬底上。凭借能够将晶圆片扩展到300mm以及在硅衬底产线上加工的能力，双方的合作将加快量产进程。对于Micro LED显示器，特别是用于AR设备的单片集成Micro LED显示器而言，这将是另一个重要的助攻。

KAUST团队与ALLOS将充分利用各自的专业知识来处理应变问题，优化硅基氮化镓和红色LED的晶体生长条件，进而实现在硅基氮化镓缓冲层上生长红色LED堆栈（Stack）。