AMCOM的GaN MMIC放大器性能优异，它的优势有哪些

AMCOM是美国半导体公司中最具有全世界技术领先的微波设计公司，AMCOM的GaN宽禁带半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等好处，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣前提的新要求。从工程角度来看，GaN具有的4个优势：

· 宽禁带半导体具有杰出的dV/dt切换性能，这意味着开关消耗很小。这使得高开关频率(GaN为1 MHz以上)成为可能，后果有助于减小磁体体积，同时提升功率密度。

· 电感值、尺寸和分量能削减70%以上，同时还能削减电容数量，使很终转换器的尺寸和分量仅相当于古代转换器的五分之一。

· 无源元件和机械部件(包含散热器)的用量可节减大概40%，增值片面则表现在控制电子IC上。

· 宽禁带半导体对高结温具有超高的耐受性，这种耐受性有助于提升功率密度，削减散热问题。

伴随着AMCOM的GaN生产工艺在不断进步，在GaN-on-Si外表片上生产的GaN器件具有相当低的老本，比在SiC晶片上生产任何产品都更为容易。由于这些缘故，GaN晶体管可能会成为2020年代后期逆变器中的首选，优于较昂贵的SiC MOSFET。

fqj