三星将EUV与10nm工艺结合推出LPDDR5内存芯片

CFan曾在《“芯”希望来自新工艺！EUV和GAAFET技术是个什么鬼？》一文中解读过EUV（极紫外光刻），它原本是用于生产7nm或更先进制程工艺的技术，特别是在5nm→3nm这个关键制程节点上，没有EUV，依靠现有的DUV（深紫外光刻）是玩不转的。

有意思的是，三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合，用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。

据悉，三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级（1z）工艺打造，请注意16Gb容量的后缀，是Gb而不是GB，16Gb对应的其实是2GB。

基于1z nm EUV工艺打造的16Gb LPDDR5内存芯片已经达成了业内当前的最高容量和最佳性能，其带宽速度为6400Mbps（也可以理解为6400MHz），比现在最快的12Gb（1.5GB）LPDDR5-5500快了16%。

除了速度更快，1z nm EUV工艺还让内存芯片的厚度较上代（1y nm）薄了大约30%。

可能很多小伙伴还不太了解手机内存芯片变薄的意义。手机内存和PC内存条不一样，目前PC领域的内存颗粒多以10nm工艺的8Gb为主，即单颗1GB的容量。无论是台式机内存还是笔记本内存，想达成单条16GB的目标，需要在PCB主板正反共集成16颗8Gb颗粒。

台式机内存

笔记本内存

手机和PC的最大差异是，前者的整套主板都没有笔记本内存条的PCB主板大，能留给内存的空间只够焊上一颗内存颗粒。

因此，手机内存只能采用更加节省空间的PoP（Package on Package）封装技术，翻译过来就是元件堆叠装配技术，我们可以将它理解为叠罗汉，即将多颗内存芯片摞在一起，和现在SSD领域的3D堆叠技术很像。比如，手机圈现有的12GB内存，其实就是由8片12Gb的内存芯片“打包”封装的。在1z nm EUV工艺出现前，16GB手机内存则是由12GB（8×12Gb）+4GB（4×8Gb）内存模块组成的。

因此，1z nm EUV提升了单颗内存芯片的容量，还减少了厚度，可以由更少的内存芯片组成16GB容量，还能进一步减少内存模块对手机内部空间的占用，优势多多。

对了，如果你拆开手机，一般是看不到SoC（处理器）芯片的，因为这颗芯片通常都藏在了内存芯片的下方，它们也是PoP封装摞在一起的。这种堆叠封装可以缩短处理器和内存之间的金属引线，可有效降低线路噪音、访问延迟、电力损耗，还能进一步节省主板空间。

需要注意的是，虽然1z nm EUV LPDDR5内存拥有6400MHz的频率，但现有的SoC却都还无法享用它，因为截至目前只有骁龙865支持LPDDR5，而且还仅支持到LPDDR5-5500。如果不出意外，明年上市的骁龙875应该将支持LPDDR5-6400。

将于下月发布的麒麟9000应该也支持LPDDR5，但是否能支持到6400MHz的频率还不得而知。