闪迪宣布投产新工艺的NAND闪存芯片

SanDisk（闪迪）宣布，已于去年底开始投产19nm新工艺的NAND闪存芯片，并对此工艺所能带来的更好性能、更低成本寄予厚望。

SanDisk CEO Sanjay Mehrotra在财务会议期间对分析人士表示：“我们在（2011年）第四季度开始了19nm技术（NAND闪存芯片）的生产，将在2012年全面量产。”

他同时也强调了新工艺面临的难题，那就是技术难度日渐提高，对节约成本的贡献却没那么大了：“正如我们之前解释过的，NAND闪存工艺越来越复杂，技术转换所带来的成本节省幅度也越来越小。19nm所能产生的成本降低幅度就会低于24nm。”

据披露，SanDisk正在使用19nm工艺制造2bpc MLC NAND、3bpc TLC NAND闪存芯片。具体良品率未公开，只是说正在按预期增加SanDisk的容量产能。

Sanjay Mehrotra也承认，TLC NAND闪存目前并不适合商业关键企业应用，而是更适用于消费级固态硬盘。这也和OCZ的看法不谋而合。

他说：“我们会寻求将3bpc用在消费级固态硬盘上的机会。企业固态硬盘上，我认为仍将完全是2bpc的天下，毕竟企业应用都需要高性能、高可靠性。”

SanDisk 2011年第四季度收入15.77亿美元（按照GAAP），毛利润6.62亿美元，营业利润4.16亿美元，同比分别增长18.8％、14.9％、16.5％；全年收入56.62亿美元，毛利润24.39亿美元，营业利润15.30亿美元，分别同比增长17.3％、7.8％、4.7％。