首次亮相!长江存储128 层3D NAND 现身CITE 2020

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第八届中国电子信息博览会(CITE 2020)于2020年8月14日至8月16日期间在深圳会展中心正式举办。此次参展企业包括紫光集团、华为、维信诺、紫晶存储、柔宇科技、TCL、创维等多家科技企业。
 
一、长江存储128层3D NAND首次亮相
 
在CITE 2020上,紫光集团带来了大量产品,其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。


来源:电子发烧友拍摄

 
长江存储还展示了64层堆栈的闪存,其中64层TLC闪存是国内首个自研量产的64层闪存,基于Xtacking堆叠架构,其拥有同类产品中最大的单位面积的存储密度。而128层QLC产品是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND闪存。两款产品目前均已获得主流控制器厂商验证。预计将在今年底至明年初量产。
 
二、128层QLC已获得主流控制器厂商验证
 
3D即三维闪存技术。过去,人们用到的存储芯片是平面的,相当于地面停车场,而三维闪存芯片是立体的,就像是立体停车场。同样的“占地面积”之下,立体芯片能够容纳更多倍数据量。此次领先于业界发布的128层闪存芯片“X2-6070”,拥有业界同类产品最高的存储密度、传输速度和单颗闪存芯片容量,拥有128层三维堆栈,每个存储单元可存储4字位(bit)的数据,共提供1.33Tb的存储容量。
 
如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”,一颗长江存储128层QLC芯片,相当于提供3,665亿个房间,每个房间住4“人”,共可容纳约14,660亿“人”居住,是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。
 
据业界分析,QLC芯片,更适合作为大容量存储介质,更适用于AI计算,机器学习,实时分析和大数据中的读取密集型应用。
 
去年9月2日,长江存储宣布,已开始量产基于Xtacking架构的64层256GbTLC3DNAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
 
4月13日,紫光集团旗下的长江存储科技有限责任公司(长江存储)宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
 
今天长江存储展示了128层QLC闪存,基于Xtacking2.0架构。按照长存的说法,这款产品的独特之处在于,它是业内首款128层QLC规格3DNAND,且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
 
此外,长江存储还展示了64层堆栈的闪存,其中64层TLC闪存是国内首个自研量产的64层闪存,基于Xtacking堆叠架构,其拥有同类产品中最大的单位面积的存储密度。而128层QLC产品是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND闪存。两款产品目前均已获得主流控制器厂商验证。预计将在今年底至明年初量产。
 
三、从64层到128层跃升仅相隔7个月
 
杨士宁介绍,“从64层量产至128层研发成功,仅相隔了7个月,还有一半时间是在疫情之中。”
 
长江存储目前员工人数已突破5000人,研发人员约占50%。数千研发人员的生产研发在疫情中持续,在返岗隔离观察、核酸监测、日常体温检测、口罩佩戴、用餐规范、办公规范、洗手规范政策落实下,该企业提倡不熬夜,助力员工保持好的身体和精神状态,并不断为员工打气,对于坚守在一线岗位的员工,给予鼓励和褒奖,线上团建和培训一直未断。
 
此外,作为长江存储主要竞争对手之一的英特尔目前的QLC闪存堆栈技术已达到了144层,预计年底或明年年初量产;三星V-NAND闪存目前已达到136层堆叠,据此前消息称,三星方面正在研发新一代的160层的第七代3D闪存堆叠技术。
 
本文由电子发烧友综合报道,内容参考自IT之家、CnBeta等,转载请注明以上来源。
 

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