第三代化合物半导体发展如火如荼，中国企业率先入局

化合物半导体在军事中的应用领域也不少，在大功率的高速交通工具也是关键材料，所以被各国视为战略物资，半绝缘的化合物半导体甚至要拿到证明才可以出口，是相当重要的上游材料。
 
我国第三代半导体材料也在紧锣密鼓的布局和谋划，据不完全统计，已有15家半导体企业投资化合物半导体，可以看出第三代半导体项目在国内已处于井喷。

 
士兰微

2018年10月18日，士兰微厦门12英寸特色工艺芯片生产线暨先进化合物半导体生产线在海沧动工。这是国内首条12英寸特色工艺芯片制造生产线和下一代化合物生产线。
 
士兰微电子厦门项目将建设两条12英寸特色工艺芯片生产线，及一条先进化合物半导体器件生产线。其中两条12英寸特色工艺芯片生产线总投资170亿元，第一条芯片制造生产线总投资70亿元，规划产能8万片/月，分两期实施。第二条芯片制造生产线，预计总投资100亿元，定位为功率半导体芯片及MEMS传感器。项目一期预计2020年完成厂房建设及设备安装调试，2021年实现通线生产，2022年达产。项目二期2022年前后启动，2024年达产。
 
另一条先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片。项目一期预计在2019年第一季度完成厂房建设及设备安装调试，2019年实现通线生产，2021年达产；项目二期计划2021年启动，2024年达产。
 
康鹏
 
浙江康鹏半导体有限公司年产300万片化合物半导体基板材料项目，由北京卜俊鹏团队、乾照光电、福建安芯基金联合投资，项目占地面积34.19亩，总建筑面积约3.2万平方米，项目可实现年产4英寸砷化镓晶片200万片，年产6英寸砷化镓晶片100万片，年销售额可达8亿元。
 
康鹏半导体项目的技术运营团队都是从事砷化镓工作具有十年以上的成员组成，在国内具有较高的技术水平和长期的一线生产经验。“这一项目属于半导体材料端创新研发成果的产业化，对国产半导体材料的强链补链具有突破性意义，填补了国内射频芯片用砷化镓衬底材料产业的空白。”浙江康鹏半导体有限公司董事长、首席技术专家卜俊鹏说，该项目的投产不仅可以助力信息产业发展，而且对国家在该领域实现自主可控具有现实意义。
 
溢泰

据了解，该化合物半导体新材料产业园计划投资21亿元，规划建设年产240万片4英寸光电用砷化镓晶片、36万片6英寸微电用砷化镓晶片、120万片2英寸磷化铟晶片、6万片6英寸碳化硅晶片、120万片2英寸钽酸锂晶片、化合物半导体新材料研发中心等6个子项目。
 
根据溢泰半导体2019年4月公布的年产240万片4英寸砷化镓抛光片项目公众参与说明显示，年产240万片4英寸砷化镓抛光片项目总投资2.5亿元。
 
当前，作为半绝缘砷化镓下游产业的砷化镓集成电路业市场平均增长近年都在40%以上，砷化镓射频器件市场具有30%的年增长，加之卫星通讯系统和车载雷达用砷化镓单晶的潜在市场，半绝缘砷化镓的需求前景较好。
 
仁奇
 
6月15日，太极实业发布公告称，公司控股子公司信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司（“十一科技”）与江苏仁奇科技有限公司（“江苏仁奇”，项目业主）就江苏仁奇发包的江苏仁奇科技有限公司芯片产业园项目签订了《EPC总承包工程同》。公告指出，江苏仁奇科技有限公司芯片产业园项目拟利用2年时间，在江苏宿迁泗阳经济开发区建成一个涵盖芯片制造、封测、研发的产业化基地，形成年产6英寸0.25um芯片线60万片，年封测10亿颗的生产能力。根据泗阳人民政府此前发布的公告称，同意江苏仁奇科技有限公司在拟定地点（江苏泗阳经济开发区太湖路东侧、浙江路北侧）年产18万片GaAs、年封测13亿片集成电路项目。由此看来，江苏任奇此次的投资布局应是瞄准化合物半导体砷化镓领域。
 
中微科技
 
6月23日，四川邛崃市举行天府新区新能源新材料产业功能区重大项目集中签约仪式暨2020年下半年重点项目攻坚行动启动大会，会上签约的中微科技化合物半导体材料研究中心（独角兽工场）项目总投资15亿元，建筑面积约4.1万平方米，主要以化合物半导体材料及微波射频芯片、相控阵雷达、5G通信、卫星通信、微波定向能应用产品线为主导，重点围绕化合物半导体全产业链进行项目建设、研发、测试和产业化应用建设的科技创新平台。
 
惠科
 
5月19日，青岛市即墨区惠科6英寸晶圆半导体功率器件及第三代半导体项目举办封顶仪式。该项目是集功率半导体器件设计、制造、封装测试为一体的全产业链项目。同时也是惠科电子有限公司第一个芯片生产厂区，投产后产品可应用在高铁动力系统、汽车动力系统、消费及通讯电子系统等领域，月产芯片20万片、WLCSP封装10万片，年销售收入25亿元，聚力打造国内最大的功率器件生产基地，在集成电路产业方面是青岛市具有里程碑意义的项目，对青岛市发展自主可控的产业链具有更重要的意义。
 
 
英诺赛科
 
6月1日英诺赛科（苏州）半导体有限公司项目主体施工已经完成。英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币，注册资本20亿元，占地368.6亩，主要建设从器件设计，驱动IC设计开发，材料制造，器件制备，后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。据规划，项目开工后两年内投产，投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标，年销售收入约80亿元，年税收不低于10亿元。
 
博方嘉芯

3月3日，浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司氮化镓射频及功率器件项目总投资25亿元，占地111.35亩，于2019年11月7日签约落地，全部达产后可实现年销售30亿元以上，可进一步推动南湖区集成电路新一代半导体产业。同时嘉兴科技城与浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司正式签约，共建第三代半导体产业技术研究院。
 
世纪金光
 
3月12日，世纪金光签署投资协议并完成首期出资，这也标志着合肥首个第三代半导体产业项目正式落地。据悉，下一步，世纪金光将与合肥产投资本合作，在合肥高新区投资建设6英寸碳化硅单晶生长及加工项目。世纪金光是一家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业，是致力于第三代半导体功能材料和功率器件研发与生产的国家级高新技术企业。
 
泰科天润
 
3月29日，由泰科天润半导体科技（北京）有限公司投资建设的6寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目正式签约落户九江经开区。泰科天润半导体科技（北京）有限公司是国内第一家致力于第三代半导体材料碳化硅（SiC）电力电子器件制造的高新技术企业，总部坐落于中国北京中关村，在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺，并拥有目前国内唯一一条碳化硅器件生产线。
 
中鸿新晶
 
4月8日，中鸿新晶总投资超百亿的第三代半导体项目落户济南。据山东开发区官微指出，中鸿新晶第三代半导体产业集群项目总投资约111亿元，总建设周期5年，分三期进行。资料显示，中鸿新晶科技有限公司成立于2017年，是为第三代半导体产业链提供原材料和装备解决方案的高科技企业、专业从事第三代半导体高纯碳化硅微粉生产、碳化硅单晶炉的研发制造，碳化硅和氮化镓芯片设计和制造的企业。
 
华通芯电
 
6月19日，上海市金山区与中国科技金融产业联盟线上签约仪式举行，华通芯电第三代化合物半导体项目正式落户金山。据悉，该项目总投资29亿元，固定资产投资22.7亿元，计划用地50亩，将通过第三方代建的模式，在上海金山购置土地并建设厂房和洁净车间，项目分为两阶段实施，其产品将广泛用于5G基站、雷达、微波等工业领域。
 
新微半导体
 
6月29日，在2020年中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上，总投资80亿元的新微半导体第三代化合物半导体制造平台项目已经签约。该项目作为临港新片区导入的重点产业项目，定位于战略性材料和器件技术研发平台和量产线，致力于解决国家在射频毫米波、光电器件和电力电子器件等领域长期面临的一系列“卡脖子”问题。
 
三安光电
 
7月20日，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。开工的长沙三安第三代半导体项目总投资160亿元，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。
 
露笑科技
 
7月30日，浙江绍兴诸暨重大项目集中开工仪式在数字安防产业基地举行。露笑科技子公司浙江露笑碳硅晶体有限公司新建碳化硅衬底片产业化项目参与了此次集中开工仪式。据悉，该项目计划总投资6.95亿元，项目主要采用碳化硅升华法长晶工艺及SiC衬底加工工艺，引进具有国际先进水平的6英寸导电晶体生长炉、4英寸高纯半绝缘晶体生长炉等设备，购置多线切割机、抛光机等国产设备，建成后形成年产8.8万片碳化硅衬底片的生产能力。
 
科友半导体
 
7月3日消息，科友半导体产学研聚集区项目在哈尔滨新区江北一体发展区正式开工建设，项目全部达产后，最终形成年产高导晶片近10万片，高纯半绝缘晶体1000公斤的产能；PVT-SIC晶体生长成套设备年产销200台套。目前，该公司已完成6英寸第三代半导体衬底制备，正在进行8英寸研制，有望成为国内首家攻克8英寸第三代半导体衬底的企业，填补国内空白。同时，还是国内首家攻克8英寸第三代半导体装备制造的企业。
 
本文由电子发烧友综合报道，内容参考自士兰微、联盟动态、三安光电、露笑科技、华通芯电等，转载请注明以上来源。