随着 5G 的到来,市场对氮化镓器件的需求猛增。据市场调研公司 Yole Development 预测,全球 GaN RF 器件的市场规模到 2024 年将超过 20 亿美元,其中无线通信将占据绝大部分。而作为射频领域的专家,Qorvo 在这个领域也有着领先的优势。
Qorvo 提供全面的 GaN/GaAs 代工流程和先进的封装专业知识产品组合,能提供业界广泛的 RF GaN-on-SiC(碳化硅氮化镓)产品组合,帮助客户实现卓越的效率和运行带宽,还能缩小器件的体积,进而降低材料成本。这些小尺寸的器件还带来了更低的电容和组合损耗,在帮助设计人员设计带宽更宽的放大器之余,还能获得更高的效率和增益。
在今天开幕的 ELEXCON 2020 电子展上,Qorvo 将会亮相展会特设的“ GaN & SiC 展区”,带来公司在射频氮化镓和电源方面的精彩分享。
在射频氮化镓方面,Qorvo将带来包括 QPF4005 和 QPF4006 在内的 39GHz FEM 组合系列。其中 QPF4005 是一款双通道多功能 GaN MMIC 前端模块,适用于 39GHz 相控阵 5G 基站和终端。对于每个通道,多功能 MMIC 芯片均包含一个低噪声放大器,一个低插入损耗高隔离度 TR 开关和一个高增益高效多级 PA。而 QPF4006 是面向 39GHz 相控阵 5G 基站和终端的多功能 GaN MMIC 前端模块。该器件结合了低噪声高线性度 LNA,低插入损耗高隔离度 TR 开关和高增益高效多级 PA。
来到电源方面,则主要是Qorvo收购的Active-Semi的核心优势。作为数十亿美元规模的电源管理和智能电机驱动集成芯片市场上迅速崛起的领导者。Active-Semi所提供的模拟和混合信号SoC产品组合为工业、商业和消费应用提供用于充电系统、供电系统和嵌入式数字控制系统的可扩展核心平台,其提供的Power Application Controller(PAC)和可编程模拟IC可大大缩减解决方案尺寸和成本,提高系统可靠性并缩短系统开发时间。
欢迎大家在电子展期间(2020 年 9 月 9-11 日)莅临深圳国际会展中心(宝安) 9、11 号馆“GaN & SiC 展示专区”9M52-B 展位,与 Qorvo 来一场不见不散的约定。
原文标题:Qorvo 亮相 ELEXCON 2020
文章出处:【微信公众号:Qorvo半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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