应用电子电路
对应散射矩阵的三个本征值为:
根据导纳矩阵与散射矩阵的关系,可导出相应导纳本征值
(3)
式中θ是任意值,消去后可得
(4)
这就是三端结环行器的两个环行条件,它是一个通用公式,也就是说不论何种结构形式的三端结环行器,只要能导出它的三个导纳本征值,并令其满足上式,则它必然是一个理想环行器。
为了导出不同结构形式的导纳本征值,可以从结的场理论或路理论出发。对于圆盘结环行器 ,只考虑三个低次模,得〔1〕
式中,y为以未知结导纳Yj归一化的导纳参量
而Yf为铁氧体带状线的特性导纳
当然还可导出其它结构形式,例如Y形、双Y形甚至包括集中元件环行器的导纳本征值,这里不一一列出。
令式(5)满足环行条件式(4),可以得出一组参数(kR,y,k/μ)。反过来说,如果按这组参数来设计器件,则必然是一个理想环行器,因此环行器的设计在于仔细研究这组参数,看看它们彼此有什么关系,相互间有什么制约,以便合理选取。
y参数:归一化的导纳参数,从式(6)、(7)可看出,它主要取决于环行器的结构参数W,H,Ψ,铁氧体介电常数εf以及有效张量磁导率μ⊥。结构参数及εf通常事先选取,所以,y主要取决于铁氧体磁参数μ⊥。
k/μ参数:张量磁导率非对角分量除以对角分量,它也是铁氧体的磁参数。
kR:贝塞尔函数的宗量,其中R是铁氧体样品的半径,而μ⊥,μ,k这些磁参数取决于铁氧体归一化磁矩和内磁场:
式中,Ms为铁氧体饱和磁化强度,Hi,He为铁氧体内部、外部磁化场,Nz是磁化场方向的退磁因子,曲线见图2和图3〔2〕。因此当工作频率和铁氧体材料选定后,μ⊥,k/μ的大小由外加磁场决定,可见铁氧体半径与外加磁场是两个重要设计参数,是实现两个环行条件的具体操作。
现在来分析一下设计过程:
确定kR:即选取半径R以及选好磁场工作点,确定μ⊥,k/μ,得到kR。
计算y:已知kR,由式(4)第一式计算y,通常y是无法与连接环行器的传输线(一般特性阻抗为50Ω匹配的,故必须加匹配网络,或者改变结构参数,尤其是H或Ψ,使系统匹配。
计算k/μ:已知kR及y,由式(4)第二式计算k/μ,若计算结果符合σ所确定的k/μ值 ,设计成功,否则需重新确定kR,进行循环计算,直到符合条件。
3 设计流程
经过上面的分析可写出环行器的设计流程如图4所示。为了简明起见,对环行器的匹配网络以及优化过程没有展开来叙述。设计只适合于窄带器件。
从设计流程图可以看出,环行器设计的关键是选取R,σ,为此要给出一个合理范围,对于低场器件,为了避免零场损耗,P通常选在0.4~0.7之间,而外加磁场要使材料饱和,即σ=0,由此可得出
(k/μ)理=P
μ⊥=1-P2 (10)
至于R的选取,若考虑器件小型化,则应尽可能小,反之,若是高功率应用,则必须大一些 ,通常kR在0.8~1.8之间确定,对于高场器件,必须使σ>1,P>1,当然也不能太大,大致范围为1.5<σ<2,1<P<2。
4 实验结果
按上述流程来设计一个二公分波段带线圆盘结环行器。
输入条件:F0=16GHz,ΔF=F1~F2,H=2.2mm,t=0.2mm,W=0.8mm,Ψ=10°,所用材料的饱和磁化强度为KA/m,即P=0.52,而εf=15。赋初值:R=1.5mm,σ=0,得( k/μ)理=0.52,μ⊥=0.72,kR=1.65。
当把上述条件代入式(4)进行计算后,发现δ不能满足条件,须修改初值,为此,样品半径改为R=1.36mm,磁场工作点不变,这时kR=1.5。
计算结果y=6.81,k/μ=0.47,|δ|≤0.05。这个结果说明二公分波段这类频率较高的器件,样品尺寸的选取是很灵敏的,可以进一步计算Yj也就是结阻抗Rj=1/Yj=8.55Ω,这是一个低阻抗结,可以采用递增式网络与50Ω传输线匹配,图5是这个器件的性能曲线。
5 结束语
本文提出了环行器设计流程,并以二公分波段结环行器的研制为例,证实了这个过程的有效性。这个流程不仅可用来设计窄带环行器,同时也为涉及匹配、宽带、优化等更有效的环行器计算机辅助设计打下了基础。
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