加速“去美化”,长江存储将缓慢提高其NAND芯片产量

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近期,加快芯片国产化进程已经成为中国科技企业最重要的议题之一,中国存储器芯片设计与制造公司——长江存储正在加速生产。长江存储将缓慢提高其NAND芯片产量,以争取更多的市场份额。据DRAMeXchange此前统计的数据,今年二季度全球NAND闪存行业的收入环比增长了6.5%至145亿美元(约合1000亿元人民币),而加大存储芯片产量的长江存储,则有望从这个不断增长的市场中收益。


近2年来,长江存储已经陆续开始对存储芯片进行量产。2019年9月,长江存储宣布对其64层3D NAND闪存芯片进行量产,今年4月份发布全球首款128层QLC存储芯片后,预计将于今年年底实现量产。

外媒是援引产业链的消息,报道长江存储将提高NAND闪存的出货量的,不过是缓慢提高,不会是快速大幅提高,产业链方面也并未透露长江存储NAND闪存目前的出货量和提升的幅度。
 
对于迅猛发展的长江存储,美日韩存储芯片制造商早已感到担忧。去年5月,外媒报道指出,随着长江存储芯片量产,国际存储芯片的竞争将加剧,价格很可能受到冲击,这对美日韩存储芯片出口来说,显然是不利的。
 
如今,长江存储开始提高NAND芯片产量,可能意味着外企此前的担忧正在加速成为现实。值得一提的是,受到近期美国芯片出口规定调整的影响,长江存储近期已经制定了“加快自研”的机会,加紧测试“无美”设备的生产线。
 
据消息人士表示,目前长江存储设备的国产化率约为30%,而在加速“去美化”的目标下,该企业的目标是将70%的设备都换成国产设备。对于美国来说,长江存储提升产量、加大与外企竞争的同时,还在寻求“去美化”,长期来看将不利于美国设备对华出口。

长江存储全称为长江存储科技有限责任公司,成立于2016年7月,总部位于武汉,是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM(设计、制造及测试)集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案,致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。

长江存储为合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了国内首款3D NAND闪存。2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。

本文由电子发烧友综合报道,内容参考自长江存储、DRAMeXchange,转载请注明以上来源。

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