FRAM是一种铁电存储器，它的自身优势是什么

FRAM是一种铁电存储器，它使用铁电膜作为电容来存储数据，即使数据没有电源也可以保存。采用铁电薄膜作为电容器来存储数据。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速读写，高读写耐久性，低功耗，防篡改等方面具有优势。FRAM结合了ROM和RAM的特点，具有高速写数据，低功耗，高速读/写周期等优点。

富士通型号MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高温下正常工作，工作电压可低至1.7V至1.95V，并设有串行外设接口（SPI）。这种全新的FRAM产品是汽车电子控制单元的最佳选择，它能满足汽车市场对诸如ADAS这样的低功耗电子器件的高端需求。

图1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封装

图2：应用实例（ADAS）

FRAM的读/写耐久性、写速度和功耗都比EEPROM和FRAM好，我们的FRAM被那些不满足传统非易失性存储器性能的用户所接受。

富士通不断推出64Kbit~2Mbit汽车级FRAM产品，工作电压3.3V或5V。但是高端汽车电控单元的推出，使一些用户开始要求FRAM电压不超过1.8V。这款全新的FRAM是富士通公司为满足这个市场需求而推出的。

在-40°C至+125°C的温度范围内，MB85RS2MLY的读/写次数可达10MB，适合某些需要实时数据记录的应用，如连续10年每天记录0.1秒的数据，写入次数将超过30亿。本产品的可靠性测试符合AEC-Q100Grade1标准，并通过了汽车级产品认证。所以就数据写入耐久性和可靠性而言，富士通电子最近推出的铁电存储器FRAM完全支持ADAS等应用，需要实时数据记录。

该FRAM产品采用工业标准8-pin SOP封装，可以很容易地替代现有的EEPROM，类似于管脚。提供8-pinDFN（无引线双面平面）封装，外形尺寸5.0mmx6.0mmx0.9mm。

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