如何使用MOS晶体管研究NMOS零增益放大器原理

描述

  来源:Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus

本次活动是对11月份学子专区的延续;本次将介绍电流镜,其输出可以不受输入电流变化的影响。因此,使用MOS晶体管从另一个角度来研究零增益放大器的性能将颇有助益。

材料

●     ADALM2000 主动学习模块

●     无焊面包板

●     一个2.2 kΩ电阻(或其他类似值)

●     一个168 Ω电阻(将100 Ω和68 Ω电阻串联)

●     一个小信号NMOS晶体管(增强模式CD4007或ZVN2110A)

说明

图1给出了NMOS零增益放大器的原理图。

栅极电压

图1.NMOS零增益放大器

硬件设置

面包板连接如图2所示。任意波形发生器1输出连接驱动电阻R1的一端。电阻R2连接在晶体管M1的栅极和漏极之间,电阻R1的另一端也连接至栅极。M1的源极接地;所以,M1采用共源配置。

栅极电压

图2.NMOS零增益放大器面包板电路。

程序步骤

波形发生器1配置为1 kHz三角波,峰峰值幅度为4 V,偏置为2 V。连接示波器通道1,以显示AWG的输出W1。示波器通道2 (2+)的单端输入被用于交替测量M1的栅极电压和漏极电压。

配置示波器以捕获测量的两个信号的多个周期。启用XY功能。

使用示波器的波形图示例如图3至图5所示。

栅极电压

图3.示波器VGATE的波形图。

栅极电压

图4.示波器VDRAIN的波形图。

栅极电压

图5.示例:比较VGATE和VDRAIN。
编辑:hfy

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