中芯国际N+1 代芯片可望于2021年量产

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集微网消息，9月18日，有投资者在互动平台提问：目前公司14纳米已经量产，N+1 代芯片进入客户导入阶段，可望于 2021年进入量产，以上新闻报道的信息是否属实？对此，中芯国际表示，公司第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。

据集微网2月报道，在中芯国际2019第四季度财报会议上，梁孟松博士透露了中芯国际下一代“N+1”工艺的详细数据。

梁孟松博士透露，中芯国际的下一代N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。所以在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺的提升较小，市场基准的性能提升应该是35%。所以，中芯国际的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。

据了解，2019年第四季度，中芯国际的14nm首次贡献营收。赵海军博士则表示，来自14nm的营收将在今年继续稳步上升，14nm产能也将随着中芯南方12英寸厂的产能爬坡而增长。14nm的应用领域包括高端消费电子、高性能计算、媒体应用、人工智能和汽车电子等领域。

原文标题：中芯国际：第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段，年底有望小批量试产

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责任编辑：haq