继Intel、台积电推出3D芯片封装后,三星宣布新一代3D芯片技术

　　在Intel、台积电各自推出自家的3D芯片封装技术之后，三星也宣布新一代3D芯片技术——X-Cube，基于TSV硅穿孔技术，可以将不同芯片搭积木一样堆叠起来，目前已经可以用于7nm及5nm工艺。

　　关于3D芯片封装，了解半导体芯片技术的玩家应该不陌生了，现有的芯片都是2D平面堆叠的，随着芯片数量的增多，占用的面积越来越大，不利于提高集成度。

　　3D封装顾名思义，就是将芯片从平面堆叠变成了垂直堆叠，类似搭积木那样一层层叠加，减少了芯片面积，提高了集成度。

　　台积电、Intel之前都公布了3D封装技术，技术风向大同小异，具体的实现方法不同，Intel的3D封装叫做Foveros，已经在Lakefield芯片上应用，集成了10nm CPU、22nm IO核心。

　　

　　三星自家的3D封装技术叫做X-Cube，基于TSV硅穿孔技术将不同芯片堆叠，已经可以将SRAM芯片堆叠到芯片上方，释放了占用空间，可以堆栈更多内存芯片。

　　此外，TSV技术还可以大幅缩短芯片之间的信号距离，提高了数据传输速度，降低了功耗，并且客户还可以按需定制内存带宽及密度。

　　目前三星的X-Cube技术已经可以用于7nm及5nm工艺，三星将继续与全球无经验半导体公司合作，将该技术部署在新一代高性能芯片中。
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