全球存储产业的观察重点和趋势

　　在几个月就能历经一轮“生死劫”的前沿科技产业，变化本就是主旋律。步入2020年，黑天鹅齐飞，诸多新变量的引入，使存储业者面临更多不确定性。

　　回顾存储产业上半年，一些事件值得回味，一些变动指向未来，全球半导体观察带您梳理观察重点。

　　国产存储“芯”势力

　　国产替代预期催化，半导体成为上半年科技主题基金重仓焦点股，可谓风头十足。高景气度持续下，细分赛道龙头公司也纷纷迎来高速增长拐点。

　　作为国内最大、全球第四大NOR芯片供货商，兆易创新开年不久便见识了半导体资本狂潮。2月13日，兆易创新股票涨幅超9%，股价创历史新高，总市值达到1020.73亿元，成为国内第六家市值破千亿的半导体公司。

　　不过，一些投资人直呼“过热”并提醒当下静态估值可能偏高，市场也很快发出“入场需谨慎”的信号。

　　国产存储制造在今年取得的突破，普通人也能感受得到。能买到国产固态硬盘SSD和内存条的消费者开始体会，“国产存储替代”趋势着实摸得着。

　　4月13日，紫光集团旗下的长江存储宣布其128层QLC3DNAND闪存研发成功。9月10日，长江存储宣布推出两款消费级固态硬盘SSD产品。

　　值得一提的是，长江存储布局多项专利，技术几乎都是自主研发。长江存储独有的Xtacking架构可以在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，使NAND拥有更高的I/O接口速度，实现更高的存储密度以及更小的芯片面积。

　　进入5月，多款搭载长鑫存储10纳米级DDR4芯片的内存条上市，首款中国芯的光威弈PRODDR4内存条由深圳嘉合劲威制造。中国自主研发的DRAM芯片终于投入市场，内存芯片产业史又写下一笔。

　　长鑫存储不仅研发出19纳米工艺的DRAM芯片，填补了国产空白，更是打通了从设计到生产制造的全流程。

　　国际内存芯片市场在迎来中国玩家后，未来将看到更多中国面孔。紫光集团重返DRAM赛场，兆易创新等国内企业也已入局。

　　国际厂商激战升级，DRAM进入EUV时代

　　2020年一季度，伴随DRAM价格回暖，存储龙头厂商的交锋也显得更为激烈。

　　目前，三星电子、SK海力士和美光科技占据全球DRAM市场超过九成的份额。其中，居于前两位的三星和SK海力士，都将在DRAM生产中导入极紫外光光刻设备EUV技术。

　　最先跨入EUV时代的自然是三星。3月25日，三星宣布成功出货100万个业界首款使用EUV的10纳米级DDR4DRAM模组，且已经完成了全球客户评估。

　　三星第四代10纳米（D1a）、更先进10纳米的DRAM会开始使用EUV，预计2021年开始批量生产基于D1a的DDR5DRAM和LPDDR5DRAM。

　　SK海力士的相关内部人士透露，公司已开始研发第4代10纳米级制程（1a）的DRAM，内部代号为“南极星”，预计将在制程中导入EUV技术。

　　2020年的变数实在太多，业内人士观测，存储器厂商皆不轻易扩增产能，反而以优化制程技术的方式来增加其供应的能力。工艺提速的同时，预计基于EUV技术的存储器生产市场竞争将会更加激烈。

　　EUV技术确有降本功效，门槛却极高，是否采用值得再三评估。美光企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用EUV计划。

　　DDR5稍慢，LPDDR5引领新一轮产品竞争

　　主流内存规格在今年有何进展？

　　相比量产和应用步伐稍缓的DDR5，主要运用智能手机等移动终端市场的低功耗LPDDR则进展神速，且已在终端产品领域掀起浪潮。

　　今年2月，美光宣布交付全球首款LPDDR5芯片。此后，小米10全线采用LPDDR5内存芯片，供应商为美光和三星。

　　小米搭载LPDDR5芯片消息一出，努比亚总裁倪飞紧随其后宣布红魔5G全系列标配LPDDR5。两天后，Realme副总裁徐起宣布realme真我X50Pro全系标配LPDDR5。

　　从采用效果来看，根据美光提供的参数，LPDDR5相较LPDDR4整机省电5%～10%，续航延长5%～10%。

　　SK海力士计划今年量产DDR5，三星计划2021年基于D1a工艺大规模量产DDR5，美光1Znm制程的DDR5寄存型DIMM（RDIMM）已开始出样。

　　TrendForce集邦咨询表示，DDR5应用场景以计算机、服务器产品为主，但需要配合主流CPU的规格，预计到2021年的下半年才能在市场上看到一定数量的产品。

　　看趋势

　　国产替代提速，从0到5%

　　半导体国产替代口号响亮，自给率极低的存储器无疑有着最强音。

　　根据中国海关数据，2019年，我国进口了价值3040亿美元的集成电路，超三分之一为存储器。而在2018年，国产存储的量产量为零。

　　DRAM和NANDFlash是最主流的存储器产品。在DRAM领域，三家国际厂商把控全球主要市场份额。受益于长鑫存储DRAM芯片推出，中国存储器开始实现中低端领域的部分替代。

　　NANDFlash制造厂长江存储新工厂目前有一座12英寸晶圆厂，满产产能为10万片/月。长江存储计划到年底，其位于武汉的新工厂可以月产量提高3倍，达到6万片的规模。

　　2020的上半年，见证了不少国产存储制造的突破进展。《日经亚洲评论》报道指出，中国存储器产量的全球占比将在今年提升到5%。

　　价格罕见拉升，但压力仍在

　　现货渠道部分存储器颗粒现货价格上涨，引发市场高度关注是否会带动存储器产业反转向上。TrendForce集邦咨询表示，DRAM现货价格出现久违涨势，但下半年DRAM价格仍有压力。

　　TrendForce集邦咨询还表示，观察目前DRAM市场，consumerDRAM仅占整体DRAM市场消耗量约8%，涨跌关键仍在于供需双方的库存水位，以及主流serverDRAM的采购动能何时回温。

　　在datacenter与enterpriseserver业者尚未重启新一轮补货前，DRAM价格压力仍在，现货价格反弹可能仅是短暂效应。

　　扩产还是缩减开支？积极预测与审慎现实

　　2018年9月，存储器景气度开始下行，在去年三季度触底并开始回暖。存储市场显现复苏态势后，拉高半导体产业整体预期。市场预测，自2020年，全球半导体企业将开始进行扩产，2021年半导体产业新增产能可望创下历史新高。

　　但热闹是结构性的，或者说，新冠疫情等黑天鹅来了后，难免遭遇现实考量。

　　分析人士指出，COVID-19影响显著，预计在可预见的未来将继续对存储器市场产生影响。考虑到市场的不确定性，为确保存储器行业的长期健康发展，存储器供应商必须谨慎地作出应对。

　　结语

　　不管是回顾还是展望，国产替代无疑是备受瞩目的线索。EUV技术导入、DDR世代更迭、龙头厂商激战升级之外，以长江存储、长鑫存储、兆易创新为代表的本土厂商在应对本土供应难题的同时，也开始因突破性进展放出更大声量。

　　挥别国产存储极具里程碑意义的2020上半年，国内存储厂商也迎来发展良机。
责任编辑人：CC