多态存储器可实现未来技术的神经形态计算?

电子说

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10月14日消息,ARC未来低能耗电子技术卓越中心(FLEET)的科学家发表研究报告称,“超越二进制 ”的 “多状态存储器 ”数据存储有望成为未来的数据存储方式。

研究人员表示,多状态存储器是未来数据存储的一种极有前途的技术,它能够以超过一个比特(即0或1)的方式存储数据,使得存储密度(单位面积存储的数据量)大大提高。

这就规避了 “摩尔定律 ”历史上提供的平缓效益,即组件尺寸大约每两年减少一半。近年来,摩尔定律长期以来所预测的平台化现象已经出现。

非易失性多态存储器(NMSM)具有节能、高、非易失性、快速访问和低成本的特点。

在不缩减存储单元尺寸的情况下,存储密度得到了极大的提升,使得存储设备的效率更高,成本更低。

多态存储器还可以实现所提出的未来技术神经形态计算,它将反映人类大脑的结构。这种完全不同的、受大脑启发的计算体制有可能为采用NMSM等新型技术提供经济动力。

NMSM允许模拟计算,这可能对智能的神经形态网络至关重要,也有可能帮助最终揭开人脑本身的工作机制。

研究论文《用于高密度数据存储的非易失性多态存储器》回顾了领先的NMSM候选器件的器件架构、工作机制、材料创新、挑战和最新进展,包括:

闪存

磁随机存取存储器(MRAM)

电阻随机存取存储器(RRAM)

铁电随机存取存储器(FeRAM)

相变存储器(PCM)
       责任编辑:tzh

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