QLED器件的基本理论、工作原理

摘要：可溶液处理的量子点（quantum dots，QDs）由于其在可见光范围内的发射峰可调、饱和色度高以及低廉的成本等特性，在各个应用领域都受到人们的高度重视。特别是作为宽色域显示器，高质量的量子点被认为是替代液晶显示器的有力竞争者。近年来，通过在材料工程和器件结构上的巨大努力，器件性能取得了惊人的进步，使量子点发光二极管（quantum dots light emitting diode，QLED）技术有很大的机会在下一代显示屏上与其他同类产品竞争。

0引言

量子点（quantum dots，QD）作为一种无机半导体材料，由于其独特的光致发光和电致发光特性，包括窄发光光谱、高色纯度和良好的光学稳定性，在显示领域越来越受到人们的关注。1994年，自美国加州大学伯克利分校的Alivisatos教授课题组首次提出具有ITO/QD/MEH-PPV/Mg结构的量子点发光二极管（quantum dotslight emitting diode，QLED）器件以来，随着科研机构和企业的不断探索和研究，QLED器件在显示领域取得了重大突破。与传统液晶显示器（LCD）相比，QLED显示器具有结构简单、功耗低、响应时间短、对比度高、视角宽等优点。与OLED相比，由于OLED的3种发光材料采用有机材料，寿命是材料本身不可逾越的致命伤；而量子点晶体为无机物，所以其材料特性更稳定，寿命更长，成本也更低；此外，QLED色彩表现更加完美，色域可轻易达到最严苛的色彩标准BT2020 90%以上，而OLED电视色域虽然远超传统LCD电视，但在BT2020标准下，大概为70%左右。图1为量子点红绿蓝三基色的电致发光光谱和不同显示技术的色域，从中可以看出量子点在色域和色纯度方面有较大的优势。

图1 量子点材料的光学优异特性

QLED显示的另一个显著特征体现在量子点简单的溶液处理工艺，使用量子点和无真空打印技术（如喷墨打印）进行处理，从而为实现大面积显示器的高速低成本制造提供了机会。此外，QLED显示工艺可与柔性和轻质塑料基板兼容，为实现柔性显示提供了可能性。

简而言之，QLED显示可以结合量子点优异的光学和电学特性，成为下一代显示技术的强有力竞争者。随着TFT背板高效电流驱动技术的发展，QLED技术将带来前所未有的高性价比、大面积、节能、宽色域、超薄和柔性显示。

本文旨在论述QLED器件的基本理论、工作原理等。首先在第1节中介绍胶体量子点的独特的光电特性；其次，阐述了QLED的工作原理和及其发展；第3节介绍了制造全色QLED的图案化技术。

1量子点简介

纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺寸（0.1～100 nm）或由它们作为基本单元构成的材料，这大约相当于10～100个原子紧密排列在一起的尺度，是20世纪80年代德国科学家Gleiter首先提出来的。

由于量子点中的电子和空穴在其空间的三维尺度上都被约束，使其展现出一系列不同于体材料的奇异物理化学性质，同时也导致了量子点在光电性质与体材料的迥异。这使得量子点有了很大应用空间，目前，量子点在生物标记、磁介质、存储器、激光器等方面都有广泛的应用，经过研究者多年研究和实践，量子点相关的产业还有相当的待开发空间。

与三维体材料不同，量子点是一种通过人工合成的，通过控制合成时的条件，可改变量子点的大小和相貌，进而进一步改变量子点的特性，这是一个与块状材料截然不同的优势，使得量子点可以通过合成条件来进行控制。随着纳米材料各个维度尺寸的减小而且尺寸都小于体材料的激子波尔半径时，纳米材料就会呈现出一系列的量子效应，如量子尺寸效应，小尺寸效应，量子表面效应，宏观量子隧道效应，库伦阻塞效应等。这些特殊的物理化学性质将也将为新一代的光电子器件打下一个良好的基础。

（1）量子尺寸效应：是指当粒子尺寸下降到某一数值时，费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级或者能隙变宽的现象。当能级的变化程度大于热能、光能、电磁能的变化时，导致了纳米微粒磁、光、声、热、电及超导特性与常规材料有显著的不同。根据金属能带单电子近似理论，对于三维情况，若将电子看成是完全自由的，则能带密度N(E)正比于体积V。一般情况下由于体积V很大，能带密度N(E)很高，故可以认为能级是准连续的。但是，对于纳米粒子，粒径很小，所以能带密度小，能级不能看成是准连续。同时，能带理论的出发点是共有化电子，即该电子为导带电子，所以说是费米能级附近的电子能级发生分裂。

（2）小尺寸效应：当颗粒的尺寸与光波波长、德布罗意波长以及超导态的相干长度或透射深度等物理特征尺寸相当或更小时，晶体周期性的边界条件将被破坏，非晶态纳米粒子的颗粒表面层附近的原子密度减少，导致声、光、电、磁、热、力学等特性呈现新的物理性质的变化称为小尺寸效应。对超微颗粒而言，尺寸变小，同时其比表面积亦显著增加，从而产生如下一系列新奇的性质。

（3）表面效应：球形颗粒的表面积与直径的平方成正比，其体积与直径的立方成正比，故其比表面积（表面积/体积）与直径成反比。随着颗粒直径的变小，比表面积将会显著地增加，颗粒表面原子数相对增多，从而使这些表面原子具有很高的活性且极不稳定，致使颗粒表现出不一样的特性。

（4）量子隧道效应：即当微观粒子的总能量小于势垒高度时，该粒子仍能穿越这一势垒。

（5）库仑堵塞效应：指当一个纳米颗粒与其所有相关电极的电容之和小到一定的程度，只有单电子传输到这个纳米颗粒，引起系统的静电能的增加。这个静电能将阻止第二个电子进入同一个纳米颗粒的现象。

量子点的合成方法多种多样，大致包括分子束外延生长法、化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、热注入法等，其中热注入法由于其工艺简单，成本低廉，制备的量子点性能高等优点备受研究者青睐，如图2所示；常见的热注入合成方法由3种部分组成：（1）确定无机核的组分的前驱体；（2）确保胶体量子点的稳定性，防止聚集，钝化不饱和表面悬挂键，并控制成核和生长的表面活性剂；（3）提供合成介质的溶剂。如今，可以通过操纵许多合成参数，如表面活性剂和前驱体（材料以及浓度），注射温度，生长温度和生长时间，控制通过热注射合成制备的量子点的粒径大小、形态和组成。

图2 热注入法合成量子点的装置以及前驱体热分解，成核和焦距过程

2量子点发光二极管在显示中的发展

2.1 QLED器件中的胶体量子点

本节讨论QLED器件中量子点的材料特性。量子点作为一种无机半导体材料，具有发射光谱清晰、色纯度高、光学稳定性好的特点。此外，通过改变QD的大小以发射整个可见光，可以达到发射波长的可调优异特性。

核-壳结构胶体量子点常用于QLEDs中，其中无机核被宽带隙无机半导体壳层包覆以钝化表面缺陷并将激子限制在核内。核-壳量子点的示意图，如图3所示。在这种情况下，减少了非辐射复合，提高了量子点的光热稳定性。根据量子点的化学成分组成，QLED器件的量子点可分为3类。

图3 核壳量子点结构图及典型的核壳能级图

2.1.1镉系量子点

在过去的20年里，Ⅱ-Ⅵ族量子点是研究颇多的领域之一，其中镉系量子点是各系列量子点中发展比较完善的，其也表现出优异的光学性能，包括高光致发光量子产率（PLQY），较窄的半峰宽和良好的稳定性。镉系量子点的光致发光峰位可以通过改变颗粒大小和化学成分来调节，如图4所示。

图4 不同尺寸和组分的镉系量子点在紫外辐射下的光致发光示意图

1997年，CdSe/CdS核壳量子点首次应用于QLED器件，器件最大亮度为600 cd ·m-2，外量子效率(EQE)为0.22%。2014年Lee等合成了一种多壳层的绿光量子点CdSe@ZnS/ZnS，尺寸为12.7 nm。与CdSe@ZnS的单壳层相比，多出的ZnS壳层可以有效抑制非辐射复合，导致CdSe@ZnS/ZnS量子点有较高的PLQY(79%~83%)。将这种新型量子点材料制备成的发光器件ITO/PEDOT:PSS/PVK/CdSe@ZnS/ZnS/ZnO /Al，器件峰值电流效率为46.4 cd/A，外量子效率为12.6%，量子点发光二极管的光电转换效率得到了极大的提升。2019年，李林松教授课题组通过优化合成方案，通过“低温成核，高温长壳”的技术制备了Zn1-xCdxSe/ZnSe/ZnS双壳层结构的红色量子点，通过这种量子点制备而成的QLED器件，外量子效率高达30%，最大亮度超过了334 000 cd ·m-2，同时开启电压低（1.9 V）,在100 mA · cm- 2的电流密度下，EQE保持在25%以上，滚降较低，更为重要的是，在100 cd ·m−2的亮度下，器件寿命达到了1800000 h，这也已经满足了显示应用的工业需求。然而由于重金属镉元素性引起的环境问题，镉系量子点的实际应用受到限制，发展一种无重金属的量子点材料势在必行。

2.1.2无重金属量子点

为了避免重金属引起的环境问题，符合RoHS标准的约定，“绿色”量子点的研究得到了极大的推动，彭晓刚教授首次将无镉技术引入量子点合成，并极大程度地优化了无镉量子点的合成。

I-III-VI族化合物量子点，包括硫化铜铟(CIS)、银铟硫(AgInS)、锌铜铟硫(ZCIS)、铜铟镓硫(CIGS)等具有高PLQY的量子点，因其对环境的友好在显示领域得到了广泛的关注。但由于晶体缺陷导致的色纯度低、色域狭窄，限制了其在QLED行业中的应用。

（1）碳点

碳点由于其荧光发射稳定、成本低，尤其对环境友好，近年来得到了很快的发展，更难能可贵的是碳点在其他量子点性能欠佳的深蓝色波长区域有着优异的表现。2019年，多伦多大学的Sargent教授课题组，通过改善碳点的合成方法，合成了含氧悬挂键较少的碳点，此种发射峰在433 nm的碳点半峰宽为35 nm，PLQY高达80%，基于此种碳点的深蓝LED还表现出高优异性能，最大亮度可达5240 cd·m−2，外部量子效率为4%，成为了替代重金属量子点的有力竞争者。

（2）InP量子点

在众多无重金属量子点中，InP量子点由于其合适的体材料带隙和较大的激子波尔半径，且其与镉系量子点可以比拟的高PLQY，被业界认为是最优可能替代镉系量子点的明星材料，然而，由于InP量子点核壳结构较大的晶格错配，所以InP量子点的合成必须解决以下3种问题：（a）InP的核心结构必须是高质量的结晶，无氧化或结构缺陷；（b）壳层与核心之间要有良好的钝化界面以防止电子被界面缺陷态捕获；（c）核/壳/壳结构中各部分之间的界面应加以明确界定，以防止核与壳内化学成分之间的相互渗透而形成的缺陷态。基于此，2019年，三星先进技术研究院Jang团队优化了合成方法，报道了一种尺寸均匀的InP为内核，高度对称的Core-Shell结构QD的合成方法，其量子产率约为100％，研究人员在初始ZnSe壳的生长过程中添加氢氟酸，以蚀刻掉氧化InP核表面，然后在340 ℃下实现高温ZnSe的生长。工程化的壳层厚度可抑制能量转移和俄歇复合，以保持高发光效率，并且初始表面配体被较短的配体取代，以实现更好的电荷注入经过优化的InP/ZnSe/ZnS QD- LED的最大外部量子效率为21.4％，最大亮度为100000 cd ·m-2，在100 cd ·m-2的条件下使用寿命长达一百万小时，该性能可与最新的含镉QLED媲美。这项研究发展了一种无镉量子点的合成策略，并实现了优异的QLED发光性能，这些基于InP的QD-LED有望很快在商业显示器中使用，并引发新一轮的商用技术革新。

2.1.3钙钛矿型量子点

钙钛矿量子点材料是一种新型的量子点材料，具有PLQY高、半峰宽窄、色纯度高、色域宽等特点，并于近年来引起了广泛的研究兴趣。2012年，首次采用硬模板法合成了CH3NH3PbBr3纳米晶。2015年，曾海波团队通过热注射技术制备了全无机钙钛矿卤化量子点(CsPbX3,X=Cl,Br,I)，结晶度高，尺寸分布均一，随后他们将其应用于ITO/PEDOT:PSS/PVK/QDs/TPBi/LiF/Al器件结构中，首次实现了钙钛矿量子点三色RGB的电致发光显示。钙钛矿材料随着合成技术的优化，近年来，钙钛矿QLED的效率也是有了很大的提升，图5展示了钙钛矿材料的QLED的蓝色、红色和绿色EQE的进展。

图5 2015～2019年，绿色、红色和蓝色钙钛矿材料QLED的EQEs的图示

2.2 QLED的工作原理

电致发光（EL）是一种由电流激发的物质发出光的现象。电致发光二极管是电荷载流子（电子和空穴）辐射的结果，这些载流子从接触电极注入发射材料，通常需要通过具有适当能带结构的点和传输层。电致发光过程产生的光子的能量相当于发射材料中电子和空穴状态之间的能量差，即无机半导体中价电子带（VB）和电导带（CB）的差值，或有机半导体中最高占据分子轨道（HOMO）和最低未占据分子轨道（LUMO）的差值。

与传统发光二极管（LED）类似，QLED通常具有p-i-n结构，包括阳极、空穴传输层（HTL）、量子点发光层（EML）、电子传输层（ETL）和阴极，如图6（a）所示。在正向偏压下，电子和空穴从相反的电极被注入，并通过点和传输层传递到发光层，在量子点中注入的载流子通过辐射跃迁产生光子，典型QLED的能带结构图如图6（b）所示。

图6 量子点发光二极管的结构和能带图

自量子点应用到QLED以来，随着合成技术和传输层材料的优化，QLED的性能得到了突飞猛进的发展，表1和表2中总结了近年来QLED在效率和寿命等方面取得的卓越进步。

2.3 QLED性能提升

2.3.1电荷传输材料的研究

基于2.1部分对QLED工作机理的介绍，QLED效率的提升不仅依赖于第一部分阐述的量子点材料的进步，也大大依赖于电荷传输层（电子传输层和空穴传输层）；电荷传输层不仅会影响电荷注入到量子点层，而且还影响QLED工作过程中的其他基本过程，制备具有理想性能的电荷传输层对于提高器件效率和寿命至关重要。电荷传输材料主要要满足以下3个关键条件：（1）电荷传输层的光电性质，如功函数、能带结构、电导率、光学性质等，都会影响QLED器件的性能；（2）电荷传输层应该具有良好的稳定性；（3）为了更大程度地体现QLED的优越性，电荷传输材料也最好是可溶液处理的。图7总结了近年来一些常用的电荷传输层能带结构，电荷传输材料的发展和多样性的选择，也大大提升了QLED器件的性能。

表1 高性能Cd系QLED的最新进展

表2 高性能InP QLED的最新进展

图7 常用电荷传输层的能带结构

虽然大量的工作也致力于电荷传输层的研究，但深HOMO的电荷传输材料一直进展较少，因此空穴的注入情况在大部分情况下是弱于电子的注入的，因此空穴和电子的注入平衡一直是制约QLED器件性能进一步提高的瓶颈。因此，为了限制电子的注入，减轻电子传输层引起的量子点膜层带电，人们也研究了用于电子阻挡层的作用。2014年，彭笑刚教授课题组介绍了一种高性能的红色QLED，其EQE达到了创纪录的20.5%，接近于耦合效率所限制的最大理论值，实现如此高的EQE的关键因素就是量子点层和电子传输层之间采用超薄的绝缘PMMA层(~ 6 nm)，阻碍了过量电子的注入，从而在量子点发光层中实现电荷平衡，图8为其器件结构和EQE与电流密度图。

图8 器件结构和效率图

2.3.2器件寿命

如OLED的发展历程一样，QLED商业化的最大障碍是器件的稳定性。虽然高品质的量子点具有优越的光稳定性，已经被用来取代传统的荧光粉作为LCD背光源，但电致器件的寿命荏仍然有待提高。随着材料和结构的快速发展，QLED的寿命也在不断提升。

QLEDs的寿命通常以T50为表征手段，T50是初始亮度下降到一半的时间。此外，不同初始亮度下的T50寿命可由以下公式推导：

L0n·T50 = constant

其中L0为初始亮度，n为加速因子，一般在1.5～2范围内。

一般来说，效率高的QLEDs通常有更长的寿命，因为在一定的亮度下，效率高的器件能够在较低的电流密度下工作。此外，尽管对器件失效缺乏深入的了解，但器件寿命与电荷平衡和控制量子点的非辐射通路密切相关。2017年，李林松教授课题组，通过调节量子点壳层的厚度、量子点发光层的厚度和能带适合的空穴传输层材料，制备了红、绿和蓝色QLED器件，最高EQE分别达到了0.2%、15.4%和15.6%，并且，所有器件都在102~104 cd ·m−2的光亮度范围内得到了很好的维持，更为重要的是，这些器件还具有较长的T70寿命，（T70为亮度降低到其初始值的70%所需的时间），如图9所示，在初始亮度为8000 cd ·m−2，红色器件达到117 h，在初始亮度为6000 cd · m− 2下绿色器件达到84 h，在初始亮度为420 cd ·m−2下，蓝色器件达到47 h。

图9 红色、绿色和蓝色QLEDs的工作寿命特性

2018年，TCL的钱磊研究组，研究了空穴注入势垒对QLEDs寿命的影响，与ZnS壳层相比，ZnSe壳层的能带较浅，可以显著改善空穴的注入，从而抑制空穴传输层和量子点层界面的电荷积聚，减少器件中陷阱的形成，因此，基于ZnSe壳层的红色量子点的QLED器件，在100 cd ·m-2时的T50寿命超过200万小时，这比以前的报告寿命有了很大的提高。

2.3.3耦合出光技术

虽然QLED的内量子效率通过使用高效QD材料和优化器件结构已经达到了90%，但耦合的限制仍然是阻碍QLED实现更高EQE的瓶颈。对于平面结构的QLED，通过光学模拟估计出的耦合效率仅为20%，这意味着80%的发射光子由于空气/玻璃和玻璃/ITO界面的全反射以及金属电极上的等离子体损耗而被困在器件内部。更具体地说，在80%的捕获光中，QLED有3种不同的光学模式。第一种光模式是基板模式，表示当入射角超过空气/基板界面的临界角时，被困在基板中的光；第二种模式被称为波导模式，意思是不能逃逸到基板上的光子由功能层波导引导，并很快被功能层吸收；第三种模式是表面等离子体模式，它是由金属电极产生的。

考虑到大部分被浪费的光子，增加出光效率的重要性已经被考虑进去了，人们已经做了很多工作来提取被捕获的光子以增加出光效率，2018年，华中科技大学的王磊课题组报道了一种柔性的红色QLED器件，最大EQE高达24.1%，这种创纪录的效率来自于采用了银纳米线（AgNWs），它同时充当透明导电极和光散射中心的作用，根据图10（c）所示的计算光功率分布，发现AgNWs电极对基片模式和波导模式下捕获的光子有了显著的提取，使得总体的出光效率提高了2.6倍。

3 QLED的全彩显示技术

近年来，在高性能半导体、电子器件和生物功能材料的制备中，高精度的图形化得到了广泛的关注。实现图形化的方法有光刻、电子束刻蚀、微接触转移打印和喷墨打印。传统的光刻、电子束蚀刻和微接触转移印刷工艺复杂、成本高，在大面积制版方面的应用受到限制。

图10 ITO基板和聚酰亚胺/AgNWs基板的器件性能对比

3.1喷墨打印

喷墨打印作为一种工艺简单、成本低廉、无掩模、无接触和墨水材料选择广泛的数字印刷技术，被广泛应用于陶瓷、金属、有机半导体、生物技术等各个领域。

与成膜工艺工艺（旋涂和蒸镀）相比，喷墨印刷技术大大减少了材料的浪费，并能够实现图案化、全彩打印，适用于大面积显示器件的制备，此外由于不需要真空设备以及价格昂贵的精细掩膜版，可以大大节省设备的成本并提高工艺的可行性。喷墨打印是一种非接触的印刷技术，预先将各种不同的功能材料制成墨水灌装到墨盒，通过计算机将图文信息转化成数字脉冲信号，然后控制喷嘴移动和墨滴形成，并利用外力将墨滴挤出，墨滴喷射沉积到相应的位置形成所需图案，实现精确、定位、定量沉积，最终完成显示器件。图11为喷墨打印的示意图及喷墨打印设备。

整个喷墨打印过程一般包括以下3个步骤的重复操作：从电信号控制的喷嘴喷出一定体积的墨滴；将液滴滴入喷嘴下指定位置；分散的液滴和干燥的溶剂形成薄膜。为了达到均匀的量子点膜，咖啡环效应（即膜的边缘比其中心厚）需要最小化。亚利桑那州立大学Jabbour的团队利用喷墨打印技术为制造像素化QLED器件做了许多先锋性的工作，他们选择低蒸气压的氯苯作为量子点的溶剂，以降低咖啡环效应；2017年，京东方在国际显示大会显示周（SID display week）上发布了布了5 in和14 in两款主动式电致量子点发光（AMQLED）显示产品，图12为其显示样机图。

图11 喷墨打印工艺示意图及喷墨打印设备

图12 京东方展示的5 in和14 in AMQLED样机实物图

随后，越来越多的亮度均匀的喷墨打印QLED被制备出来，最近，华中科技大学的唐江教授，利用电流体动力喷墨打印技术，如图13所示。通过在衬底和喷管之间施加电压，可以精确地控制油墨，从而使其具有高分辨率的量子点层。

利用喷墨打印技术生产AMQLED显示器的发展方向在于：（1）高性能打印材料的开发；（2）进一步提升打印工艺及干燥成膜工艺，以提升像素内成膜均匀性；（3）高精度、高可靠性、高生产效率的打印设备的开发。

图13 电流体动力喷墨打印技术打印的图案

3.2转印

转印为大面积制备像素化的RGB量子点薄膜提供了一条有效的途径，通过转印可以得到形貌优良、结构有序、界面清晰的量子点薄膜。2011年，三星综合技术研究院首先通过引入共价结合的致密十八烷基三氯硅烷（ODTS）自组装单层膜（SAM）对供体衬底进行修饰，然后，旋涂量子点薄膜。随后，引入弹性体压印，以适当的压力接触量子点薄膜，并迅速从供体衬底上剥落。最后，将油墨印模与器件堆叠接触，慢慢地将印模剥离，得到有图案的量子点薄膜，图14为其工艺流程图和样机实物展示图。

图14 量子点转印技术示意图和4寸展示样机实物图

在传统的转印技术中，最大的问题莫过于最初设计的模板和最终图案化之间的差异，从而使转印技术很难实现1 μm以下的精度，2015年，首尔大学的Hyeon课题组，通过一种改进的转印技术（凹版转移技术）实现了转印过程中的精准控制，从而达到了线宽为1 μm，像素达到2640 ppi的样机展示，图15为凹版转移技术的技术路线图和实物展示图。

图15 凹版转移技术的技术路线图和实物展示图

4结论

在20多年的研究过程中，由于量子点材料和电荷传输层材料的发展、器件结构的优化和制备工艺的优化，QLED器件的性能得到了十足的进展。得益于这些进步，红色和绿色的外量子效率均已超过20%，蓝色QLED的外量子效率也已经接近20%，这大大提高了量子点在显示领域的进程；此外，多样性的器件结构也为其在柔性基底上的应用提供了可能性，这些进步都极大提速了QLED的商业化之路。

当前，为了成功推进QLED显示技术的商业应用，研究工作集中在以下方面：第一，蓝色QLED效率和寿命的提升，目前红色和绿色QLED器件的效率和寿命均已达到商用标准，然而，蓝色QLED器件的效率和寿命相对落后，焦距并着力于蓝色QLED器件性能的综合提升将极大的推进QLED显示技术的商业化应用；第二，随着人们环保意识的加强以及RoHS等国际标准的要求，无重金属的QLED器件也越来越引起了人们的重视和研究，特别是InP体系的无重金属QLED器件已经取得了很大进步，但相较于Cd系的QLED还有一定的差距，未来，无重金属的量子点材料的优化和其QLED器件性能的提升也会对QLED的商业化之路起到举足轻重的作用；第三，由于QLED器件的复杂结构，其中包含金属/无机物界面和无机物/有机物界面，特别是量子点和电荷传输层的界面以及其界面的表面态，导致其载流子的传输机制要比其他光电器件复杂很多，随着人们对QLED工作机理的进一步深入研究，其性能也必将进一步提升。

QLED显示技术如今已经起步，并取得了突飞猛进的进展，但距离商业化还有很长的路要走，由于量子点优异的固有属性，量子点电致发光技术将有望成为下一代显示技术的主力军。